| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-33页 |
| 1.1 相变存储器与相变材料简介 | 第8-27页 |
| 1.1.1 相变存储器概述 | 第8-10页 |
| 1.1.2 相变材料的研究进展 | 第10-14页 |
| 1.1.3 相变材料改性法的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.1.4 相变材料掺杂改性法的研究进展 | 第16-27页 |
| 1.2 脉冲激光沉积法简介 | 第27-30页 |
| 1.2.1 脉冲激光沉积法工作原理 | 第27-29页 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积法的优势 | 第29页 |
| 1.2.3 脉冲激光沉积法制备相变材料的研究进展 | 第29-30页 |
| 1.3 本论文的研究内容及目的 | 第30-31页 |
| 1.4 本论文的研究方法 | 第31-33页 |
| 1.4.1 样品制备 | 第31页 |
| 1.4.2 相变材料组分、表面形貌和结晶性能的表征 | 第31页 |
| 1.4.3 相变材料电学性能的表征 | 第31-33页 |
| 第二章 膜厚度和锑碲组分比对锑碲基相变材料的性能影响 | 第33-45页 |
| 2.1 不同组分比的锑碲基薄膜性能 | 第33-38页 |
| 2.1.1 对薄膜结晶性能的影响 | 第33-37页 |
| 2.1.2 对薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| 2.1.3 本节小结 | 第38页 |
| 2.2 不同厚度的Sb_2Te_3薄膜性能 | 第38-45页 |
| 2.2.1 厚度对薄膜结晶性能的影响 | 第38-40页 |
| 2.2.2 厚度对薄膜电学性能的影响 | 第40-44页 |
| 2.2.3 本节小结 | 第44-45页 |
| 第三章 氮掺杂锑碲基相变材料的制备与性能研究 | 第45-55页 |
| 3.1 氮掺杂锑碲基相变材料的结晶性 | 第45-50页 |
| 3.2 氮掺杂锑碲基相变材料的电学性能 | 第50-54页 |
| 3.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 铜掺杂锑碲基相变材料的制备与性能研究 | 第55-63页 |
| 4.1 铜掺杂锑碲基相变材料的结晶性 | 第55-61页 |
| 4.2 铜掺杂锑碲基相变材料的电学性能 | 第61-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 5.1 本文的结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |