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基于溶胶—凝胶法的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜制备及其太阳电池研制

中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 课题研究的背景与意义第9-11页
    1.2 铜锌锡硫(CZTS)半导体材料基本物性第11-15页
        1.2.1 CZTS的结构性能第11-14页
        1.2.2 CZTS的光学性能第14页
        1.2.3 CZTS的电学性能第14-15页
    1.3 CZTS基薄膜太阳电池研究现状第15-22页
        1.3.1 基于真空方法的CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第15-18页
            1.3.1.1 磁控溅射法制备CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第15-16页
            1.3.1.2 真空蒸发法制备CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第16-18页
        1.3.2 基于非真空方法的CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第18-22页
            1.3.2.1 电沉积法制备CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第19-20页
            1.3.2.2 喷雾热解法制备CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第20-21页
            1.3.2.3 溶胶-凝胶法制备CZTS薄膜及其太阳电池研究现状第21-22页
    1.4 本论文选题依据第22-24页
    1.5 论文主要工作第24-25页
第二章 实验试剂、设备及测试技术第25-28页
    2.1 实验试剂第25页
    2.2 实验设备第25-26页
    2.3 测试设备第26-28页
        2.3.1 部分工艺及测试设备图片第26-28页
第三章 CZTS薄膜的溶胶-凝胶法制备第28-66页
    3.1 传统(水解)溶胶-凝胶法基本原理第28页
    3.2 非水解溶胶-凝胶法基本原理第28-30页
    3.3 溶胶-凝胶法制备CZTS薄膜预制层的研究过程第30-39页
        3.3.1 反应物的选取及胶体的配制第31-32页
        3.3.2 非水解的溶胶-凝胶法在制备CZTS预制层时的热分解反应机理第32-35页
        3.3.3 预热处理对预制层的影响第35-38页
            3.3.3.1 预热处理温度对CZTS预制层形貌的影响第35-36页
            3.3.3.2 预热处理时间对CZTS预制层形貌的影响第36-38页
        3.3.4 稳定剂对预制层的影响第38-39页
    3.4 CZTS预制层的硫化处理过程第39-55页
        3.4.1 硫化温度对CZTS薄膜性能影响第42-47页
        3.4.2 硫化时间对CZTS薄膜性能影响第47-51页
        3.4.3 H_2S浓度对CZTS薄膜性能影响第51-55页
    3.5 金属离子成分比例对CZTS薄膜性能影响第55-64页
        3.5.1 Zn含量对CZTS薄膜性能影响第56-58页
        3.5.2 Cu含量对CZTS薄膜性能影响第58-64页
    3.6 本章小结第64-66页
第四章 CZTS薄膜太阳电池的制备及测试表征第66-92页
    4.1 太阳电池基本原理第66-67页
    4.2 CZTS薄膜太阳电池结构第67-69页
    4.3 CZTS薄膜太阳电池的制备工艺第69-71页
        4.3.1 背接触电极Mo薄膜的制备第69-70页
        4.3.2 吸收层CZTS薄膜的制备第70页
        4.3.3 缓冲层CdS和ZnS薄膜的制备第70页
        4.3.4 本征窗口层ZnO(i-ZnO)薄膜的制备第70页
        4.3.5 窗口层TCO(AZO和ITO)薄膜的制备第70-71页
        4.3.6 上电极Ni/Al的制备第71页
    4.4 CZTS薄膜太阳电池光电性能测试第71-74页
    4.5 CZTS薄膜太阳电池主要结构膜层材料间带阶理论分析第74-75页
    4.6 硫化条件对CZTS薄膜太阳电池性能影响第75-79页
        4.6.1 硫化温度的影响第75-76页
        4.6.2 硫化时间的影响第76-78页
        4.6.3 H_2S浓度的影响第78-79页
    4.7 CZTS薄膜成分比例对CZTS薄膜太阳电池性能影响第79-82页
        4.7.1 Zn含量的影响第79-80页
        4.7.2 Cu含量的影响第80-82页
    4.8 缓冲层CdS对CZTS薄膜太阳电池性能影响第82-85页
        4.8.1 缓冲层CdS材料研究第82-83页
        4.8.2 缓冲层CdS膜厚对CZTS薄膜太阳电池性能影响第83-85页
    4.9 窗口层对CZTS薄膜太阳电池性能影响第85-90页
        4.9.1 窗口层AZO对CZTS电池性能影响第85-87页
            4.9.1.1 窗口层AZO材料研究第85-86页
            4.9.1.2 窗口层AZO膜厚对CZTS电池性能影响第86-87页
        4.9.2 窗口层ITO对CZTS薄膜太阳电池性能影响第87-90页
            4.9.2.1 窗口层ITO材料研究第88-89页
            4.9.2.2 窗口层ITO膜厚对CZTS电池性能影响第89-90页
    4.10 CZTS薄膜太阳电池损失机制分析第90-91页
    4.11 本章小结第91-92页
第五章 无Cd缓冲层的CZTS薄膜太阳电池的制备第92-97页
    5.1 缓冲层ZnS材料研究第92-94页
    5.2 缓冲层ZnS膜厚对CZTS薄膜太阳电池性能研究第94-96页
    5.3 本章小结第96-97页
第六章 总结和展望第97-99页
    6.1 研究工作总结第97页
    6.2 本论文主要特色之处第97-98页
    6.3 未来工作展望第98-99页
参考文献第99-118页
致谢第118-119页
个人简历、攻读学位期间主要研究成果清单第119-120页

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