| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 陶瓷材料概述 | 第12-14页 |
| 1.1.1 结构陶瓷材料 | 第12-13页 |
| 1.1.2 功能陶瓷材料 | 第13-14页 |
| 1.2 碳化硅陶瓷材料概述 | 第14-26页 |
| 1.2.1 碳化硅的结构 | 第15-19页 |
| 1.2.2 碳化硅陶瓷的特性及应用 | 第19-23页 |
| 1.2.3 碳化硅陶瓷的晶体缺陷 | 第23-26页 |
| 1.3 氮化硼陶瓷材料概述 | 第26-31页 |
| 1.3.1 氮化硼的结构 | 第26-27页 |
| 1.3.2 氮化硼陶瓷的性能及应用 | 第27-29页 |
| 1.3.3 新型氮化硼结构研究现状 | 第29-31页 |
| 1.4 论文研究内容和意义 | 第31-34页 |
| 第2章 理论研究方法 | 第34-54页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第34-38页 |
| 2.1.1 玻恩-奥本海默近似 | 第34-35页 |
| 2.1.2 密度泛函理论概述 | 第35-36页 |
| 2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第38-42页 |
| 2.2.1 局域密度近似泛函(LDA) | 第39页 |
| 2.2.2 广义梯度近似泛函(GGA) | 第39-41页 |
| 2.2.3 杂化泛函(hybrid-GGA) | 第41-42页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第42-43页 |
| 2.4 投影缀加波方法(PAW) | 第43-45页 |
| 2.5 DFT计算基本要素 | 第45-46页 |
| 2.5.1 倒空间和K点 | 第45页 |
| 2.5.2 截断能 | 第45-46页 |
| 2.6 分子动力学方法 | 第46-50页 |
| 2.6.1 分子动力学方法简介 | 第46-49页 |
| 2.6.2 分子动力学运动方程 | 第49页 |
| 2.6.3 数值积分方法 | 第49-50页 |
| 2.7 声子谱计算 | 第50-51页 |
| 2.8 计算常用软件介绍 | 第51-54页 |
| 第3章 晶界对碳化硅热输运性质的影响 | 第54-64页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 研究方法及理论模型 | 第55-57页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第57-62页 |
| 3.3.1 SiC中不同种类晶界的热导 | 第57-60页 |
| 3.3.2 界面热阻随温度变化的研究 | 第60-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 蜂巢型氮化硼晶体结构和物理性质的理论研究 | 第64-76页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 研究方法 | 第65-66页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第66-74页 |
| 4.3.1 HCBN的晶体结构 | 第66-67页 |
| 4.3.2 HCBN的结构稳定性 | 第67-69页 |
| 4.3.3 HCBN的电学性质 | 第69-73页 |
| 4.3.4 HCBN-1和HCBN-2的X射线衍射谱 | 第73-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 两种新型氮化硼结构物理性质的理论研究 | 第76-88页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 研究方法 | 第77页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第77-86页 |
| 5.3.1 C12-BN和O16-BN的晶体结构 | 第77-80页 |
| 5.3.2 C12-BN和O16-BN的结构稳定性 | 第80-82页 |
| 5.3.3 C12-BN和O16-BN的力学性质 | 第82-84页 |
| 5.3.4 C12-BN和O16-BN的电学性质 | 第84页 |
| 5.3.5 C12-BN和O16-BN的X射线衍射谱 | 第84-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第6章 总结和展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简历攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第102页 |
