线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 表面波等离子体 | 第11-17页 |
| 1.1.1 表面波等离子体中物理参量 | 第11-14页 |
| 1.1.2 表面波等离子体的基本理论 | 第14-17页 |
| 1.2 国外表面波等离子体源的发展 | 第17-27页 |
| 1.2.1 表面波等离子体源的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.2.2 表面波等离子体源的结构 | 第18-21页 |
| 1.2.3 表面波等离子体源的改进 | 第21-27页 |
| 1.3 氢对薄膜沉积的作用 | 第27-29页 |
| 1.3.1 氢在薄膜生长过程中的作用 | 第27-29页 |
| 1.3.2 薄膜中氢的作用 | 第29页 |
| 1.4 氩等离子体特性及对薄膜沉积的影响 | 第29-31页 |
| 1.4.1 氩的碰撞反应 | 第29-30页 |
| 1.4.2 氩稳原子在气相沉积中的作用 | 第30-31页 |
| 1.5 本文研究的目的和内容 | 第31-32页 |
| 2 实验设备与检测方法 | 第32-45页 |
| 2.1 实验设备 | 第32-37页 |
| 2.1.1 微波等离子体技术 | 第32页 |
| 2.1.2 线形同轴耦合微波PECVD设备 | 第32-37页 |
| 2.2 实验条件及过程 | 第37-38页 |
| 2.2.1 气体及基片 | 第37页 |
| 2.2.2 等离子体诊断过程 | 第37-38页 |
| 2.2.3 薄膜的制备 | 第38页 |
| 2.3 等离子体放电特性诊断 | 第38-41页 |
| 2.3.1 Langmuir探针诊断原理 | 第38-39页 |
| 2.3.2 等离子体诊断系统 | 第39-41页 |
| 2.4 薄膜的检测方法 | 第41-45页 |
| 2.4.1 薄膜的膜厚 | 第41-42页 |
| 2.4.2 拉曼(Raman)光谱 | 第42-43页 |
| 2.4.3 X射线衍射(XRD) | 第43-45页 |
| 3 等离子体放电特性诊断 | 第45-59页 |
| 3.1 空间水平方向等离子体放电特性诊断 | 第45-54页 |
| 3.1.1 微波功率对等离子体放电情况的影响 | 第45-49页 |
| 3.1.2 氢氩流量比对等离子体放电情况的影响 | 第49-54页 |
| 3.2 Z方向上等离体放电特性诊断 | 第54-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 4 硅薄膜的制备 | 第59-66页 |
| 4.1 Z为0cm水平面上不同位置沉积硅薄膜 | 第59-61页 |
| 4.2 正交实验法制备硅薄膜 | 第61-65页 |
| 4.2.1 实验参数设计及分析方法 | 第61-62页 |
| 4.2.2 沉积参数对硅薄膜结构性能的影响 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
