| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-20页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第20-24页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第20-23页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第23-24页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 1.4 论文结构与章节安排 | 第25-27页 |
| 第二章 MgZnO及MgZnO/ZnO异质结材料特性 | 第27-41页 |
| 2.1 ZnO晶体结构及性质 | 第27-30页 |
| 2.1.1 ZnO的基本结构 | 第27-28页 |
| 2.1.2 ZnO的本征缺陷和掺杂 | 第28-29页 |
| 2.1.3 ZnO的光电性质 | 第29-30页 |
| 2.2 MgO晶体结构及性质 | 第30页 |
| 2.3 MgZnO及MgZn O/ZnO异质结 | 第30-33页 |
| 2.3.1 能带工程 | 第30-32页 |
| 2.3.2 薄膜生长技术 | 第32-33页 |
| 2.4 MgZnO/ZnO异质结构的极化调制和散射机制 | 第33-39页 |
| 2.4.1 极化调制 | 第33-36页 |
| 2.4.2 散射机制 | 第36-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 MgZnO MSM紫外探测器等效电路模型 | 第41-63页 |
| 3.1 MgZnO紫外探测器 | 第41-46页 |
| 3.1.1 紫外探测器的基本类型 | 第41-43页 |
| 3.1.2 紫外探测器的主要参数 | 第43-46页 |
| 3.2 MgZnO MSM紫外探测器等效电路建模 | 第46-54页 |
| 3.2.1 光探测器建模技术 | 第46-49页 |
| 3.2.2 等效电路模型 | 第49-54页 |
| 3.3 MgZnO MSM紫外探测器输出特性分析 | 第54-61页 |
| 3.3.1 内部光电导增益的影响 | 第54-58页 |
| 3.3.2 不同入射光能量下的瞬态特性分析 | 第58-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 MgZnO/ZnO异质结 2DEG量子输运特性研究 | 第63-73页 |
| 4.1 界面极化电荷对 2DEG低温输运特性的影响 | 第63-65页 |
| 4.1.1 界面极化电荷的作用 | 第63页 |
| 4.1.2 变分波函数 | 第63-65页 |
| 4.2 散射率模型 | 第65-67页 |
| 4.2.1 极化粗糙散射 | 第66-67页 |
| 4.2.2 背景库仑散射 | 第67页 |
| 4.3 MgZnO/ZnO异质结 2DEG低温输运特性分析 | 第67-71页 |
| 4.3.1 不同电荷对势阱电子波函数的影响 | 第67-68页 |
| 4.3.2 极化电荷限制效应分析 | 第68-70页 |
| 4.3.3 MgZnO/ZnO异质结 2DEG低温迁移率 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 论文总结 | 第73-74页 |
| 5.2 研究展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
