| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪言 | 第8-12页 |
| 1.1 六角晶格材料的概述 | 第8-9页 |
| 1.2 单层MOS_2简介 | 第9-10页 |
| 1.3 单层黑磷简介 | 第10-12页 |
| 第2章 密度泛函理论 | 第12-21页 |
| 2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第12-13页 |
| 2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第13-14页 |
| 2.3 能量泛函 | 第14页 |
| 2.4 Kohn-Sham方程 | 第14-16页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第16-19页 |
| 2.5.1 局域密度泛函 | 第16页 |
| 2.5.2 广义梯度近似 | 第16-17页 |
| 2.5.3 杂化密度泛函 | 第17页 |
| 2.5.4 泛函的新进展 | 第17-19页 |
| 2.6 VASP和NanoDcal软件包 | 第19-21页 |
| 2.6.1 VASP软件包 | 第19-20页 |
| 2.6.2 NanoDcal软件包 | 第20-21页 |
| 第3章 单层MOS_2纳米带电子结构调控 | 第21-32页 |
| 3.1 单层MOS_2纳米带电子结构 | 第21-22页 |
| 3.2 计算模型及参数设置 | 第22-23页 |
| 3.3 结果及讨论 | 第23-32页 |
| 3.3.1 二维单层MoS_2及一维单层Armchair型MoS_2纳米带 | 第23-24页 |
| 3.3.2 氢化Armchair型MoS_2纳米带 | 第24-25页 |
| 3.3.3 氢原子和氧原子杂化钝化对纳米带的影响 | 第25-29页 |
| 3.3.4 其他非金属原子边缘饱和Armchair型纳米带 | 第29-32页 |
| 第4章 单层黑磷纳米带电子结构调控 | 第32-39页 |
| 4.1 单层黑磷纳米带电子结构 | 第32-33页 |
| 4.2 计算模型及参数设置 | 第33页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第33-39页 |
| 第5章 结论与展望 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第46页 |
