摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第14-44页 |
1.1 富勒烯材料简介 | 第14-20页 |
1.1.1 富勒烯(C_(60),C_(70))分子结构 | 第14-16页 |
1.1.2 富勒烯(C_(60)、C_(70))晶体结构 | 第16-17页 |
1.1.3 富勒烯的特殊性质 | 第17-20页 |
1.1.3.1 发光特性 | 第17-18页 |
1.1.3.2 超导特性 | 第18-19页 |
1.1.3.3 磁学特性 | 第19页 |
1.1.3.4 催化特性 | 第19-20页 |
1.1.3.5 聚合特性 | 第20页 |
1.1.3.6 超硬特性 | 第20页 |
1.2 富勒烯纳米材料合成方法简介 | 第20-22页 |
1.3 富勒烯溶剂化晶体简介 | 第22-29页 |
1.3.1 富勒烯溶剂化晶体的合成 | 第24-27页 |
1.3.2 富勒烯溶剂化晶体的物理性质 | 第27-29页 |
1.4 富勒烯高压研究现状 | 第29-35页 |
1.5 富勒烯溶剂化晶体的高压研究现状 | 第35-41页 |
1.6 本文的研究目的及意义 | 第41-43页 |
1.7 本文的主要内容 | 第43-44页 |
第二章 高压实验技术简介 | 第44-52页 |
2.1 金刚石对顶砧(DAC) | 第45-46页 |
2.2 传压介质 | 第46-47页 |
2.3 压力标定 | 第47-48页 |
2.4 常见的高压测试技术 | 第48-52页 |
2.4.1 拉曼光谱简介 | 第48-49页 |
2.4.2 红外光谱简介 | 第49-50页 |
2.4.3 同步辐射技术简介 | 第50-52页 |
第三章 C_(70)~*mesitylene溶剂化晶体的光致发光(PL)性质的高压研究 | 第52-63页 |
3.1 研究背景 | 第52-53页 |
3.2 实验方法 | 第53-54页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第54-62页 |
3.3.1 常压表征 | 第54-57页 |
3.3.2 高压拉曼光谱研究 | 第57-58页 |
3.3.3 高压光致发光(PL)光谱研究 | 第58-60页 |
3.3.4 高压紫外可见吸收光谱研究 | 第60-61页 |
3.3.5 C_(70)~*mesitylene溶剂化晶体高压下PL性质的机理 | 第61-62页 |
3.4 本章小结 | 第62-63页 |
第四章 C_(70)~*mesitylene溶剂化晶体高压下结构转变研究 | 第63-79页 |
4.1 研究背景 | 第63-64页 |
4.2 实验方法 | 第64-65页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第65-78页 |
4.3.1 常压表征 | 第65-67页 |
4.3.2 高压拉曼和红外光谱研究 | 第67-70页 |
4.3.3 高压XRD研究 | 第70-71页 |
4.3.4 不同压力卸压后样品的光谱及电镜研究 | 第71-73页 |
4.3.5 C_(70)~*mesitylene溶剂化晶体在压力下的结构转变 | 第73-75页 |
4.3.5.1 低压下的结构转变 | 第73-74页 |
4.3.5.2 高压下的结构转变 | 第74-75页 |
4.3.6 Mesitylene溶剂分子对溶剂化晶体高压下结构转变的影响 | 第75-78页 |
4.4 本章小结 | 第78-79页 |
第五章 C_(60)~*CS_2的高压红外光谱研究 | 第79-89页 |
5.1 研究背景 | 第79-80页 |
5.2 实验方法 | 第80页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第80-87页 |
5.3.1 常压表征 | 第80-81页 |
5.3.2 高压红外光谱研究 | 第81-86页 |
5.3.3 卸压样品红外光谱研究 | 第86-87页 |
5.4 本章小结 | 第87-89页 |
第六章 C_(60)~*C_8H_8晶体的高压行为研究 | 第89-104页 |
6.1 研究背景 | 第89-90页 |
6.2 实验方法 | 第90-91页 |
6.3 实验结果与讨论 | 第91-103页 |
6.3.1 常压表征 | 第91-92页 |
6.3.2 高压拉曼和红外光谱研究 | 第92-95页 |
6.3.3 卸压样品的拉曼和红外光谱研究 | 第95-99页 |
6.3.4 高压XRD研究 | 第99-102页 |
6.3.5 C_(60)~*C_8H_8晶体在压力下的结构转变 | 第102-103页 |
6.4 本章小结 | 第103-104页 |
第七章 结论 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-122页 |
作者简介 | 第122-123页 |
攻读博士学位期间完成的学术论文 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-126页 |