| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 有机存储器简介 | 第10-12页 |
| 1.2 浮栅有机薄膜晶体管非易失性存储器的发展状况 | 第12-28页 |
| 1.2.1 FG-OTFT-NVM的存储性能参数介绍 | 第12-15页 |
| 1.2.2 FG-OTFT-NVM的制备工艺介绍 | 第15-21页 |
| 1.2.3 当前阶段FG-OTFT-NVM发展的工艺水平 | 第21-26页 |
| 1.2.4 柔性FG-OTFT-NVM的发展现状 | 第26-28页 |
| 1.3 现阶段FG-OTFT-NVM的研制存在的问题 | 第28页 |
| 1.4 本文的研究思路及主要研究内容 | 第28-32页 |
| 1.4.1 本文的研究思路 | 第28-29页 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第29-32页 |
| 第二章 基于P3HT有源层的FG-OTFT-NVM的研制 | 第32-50页 |
| 2.1 引言 | 第32-33页 |
| 2.2 器件的制备 | 第33-35页 |
| 2.3 FG-OTFT-NVM的核心体系的各层功能性薄膜形貌的表征 | 第35-37页 |
| 2.4 全溶液旋涂方法构建存储器的核心体系的工艺兼容性分析 | 第37-40页 |
| 2.5 基于P3HT有源层的FG-OTFT-NVM的存储性能表征 | 第40-45页 |
| 2.6 基于聚合物P3HT有源层的FG-OTFT-NVM的存储机制分析 | 第45-48页 |
| 2.7 本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章 基于P(NDI2OD-T2)有源层的FG-OFET-NVM的研制 | 第50-70页 |
| 3.1 引言 | 第50页 |
| 3.2 器件的研制 | 第50-52页 |
| 3.3 FG-OTFT-NVM的核心体系的各层功能性薄膜形貌的表征 | 第52-54页 |
| 3.4 浮栅层中TIPS-Pen含量对器件存储性能的影响 | 第54-58页 |
| 3.5 基于优化结构的FG-OTFT-NVM的存储性能 | 第58-68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 基于三步旋涂工艺构建核心体系的FG-OTFT-NVM的研制 | 第70-85页 |
| 4.1 引言 | 第70页 |
| 4.2 器件的制备 | 第70-71页 |
| 4.3 一体化的隧穿层/浮栅层薄膜的形貌表征 | 第71-73页 |
| 4.4 一体化的隧穿层/浮栅层薄膜的优化研究 | 第73-77页 |
| 4.5 基于优化结构的FG-OTFT-NVM的存储性能 | 第77-83页 |
| 4.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 柔性FG-OTFT-NVM的研制 | 第85-95页 |
| 5.1 引言 | 第85页 |
| 5.2 柔性FG-OTFT-NVM的器件制备 | 第85-86页 |
| 5.3 制备在PES柔性衬底上的FG-OTFT-NVM的性能表征 | 第86-90页 |
| 5.4 制备在PI柔性衬底上的FG-OTFT-NVM的性能表征 | 第90-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 全文总结与未来展望 | 第95-98页 |
| 6.1 全文总结 | 第95-97页 |
| 6.2 未来展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-112页 |
| 科研成果及作者简介 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
