| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 光催化原理 | 第10-12页 |
| 1.3 纳米半导体异质结复合材料 | 第12-14页 |
| 1.4 本论文选题目的和研究内容 | 第14-16页 |
| 1.4.1 选题目的 | 第14-15页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 直接水热氧化合成氧化锋及氧空位对其光傕化效果的影响 | 第16-29页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 实验部分 | 第16-18页 |
| 2.2.1 主要试剂和仪器 | 第16页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第16-18页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第18-28页 |
| 2.3.1 不同添加剂对制备氧化锌的影响 | 第18-20页 |
| 2.3.2 不同的反应时间对制备氧化锌的影响 | 第20-23页 |
| 2.3.3 不同氧空位含量对光催化影响 | 第23-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 r-GO/ZnO复合材料的合成及其光降解效率 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验部分 | 第29-30页 |
| 3.2.1 主要试剂和原料 | 第29页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第29-30页 |
| 3.2.3 试样表征 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-38页 |
| 3.3.1 不同反应时间对制备r-GO/ZnO复合材料的影响 | 第30-33页 |
| 3.3.2 不同反应温度制备对r-GO/ZnO复合材料的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.3 不同石墨烯含量的r-GO/ZnO复合材料 | 第35-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 p-n异质结型BG/ZnO复合物的合成及光催化性能 | 第40-56页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-42页 |
| 4.2.1. 试剂 | 第41页 |
| 4.2.2 p-n异质结复合材料的合成 | 第41-42页 |
| 4.2.3 材料的表征 | 第42页 |
| 4.2.4 光催化降解效率 | 第42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-54页 |
| 4.3.1 制备含有不同硼含量掺杂的石墨烯(BG) | 第42-47页 |
| 4.3.2 制备p-n异质结复合材料 | 第47-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 结论 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文: | 第69页 |
