| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 TiO_2纳米管阵列简介 | 第9-11页 |
| 1.1.1 TiO_2纳米管阵列的制备方法 | 第9-10页 |
| 1.1.2 TiO_2纳米管阵列的晶型结构 | 第10-11页 |
| 1.2 TiO_2纳米管阵列的改性 | 第11-15页 |
| 1.2.1 掺杂金属或非金属元素 | 第11-13页 |
| 1.2.2 负载贵金属粒子 | 第13-14页 |
| 1.2.3 复合半导体 | 第14-15页 |
| 1.3 TiO_2纳米管阵列的应用 | 第15-16页 |
| 1.3.1 光催化分解水制氢 | 第15页 |
| 1.3.2 降解有机污染物 | 第15页 |
| 1.3.3 还原CO_2 | 第15-16页 |
| 1.3.4 电池 | 第16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 N掺杂TiO_2纳米管阵列的制备、光学性质以及光催化活性 | 第17-30页 |
| 2.1 实验部分 | 第17-18页 |
| 2.1.1 试剂 | 第17页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第17-18页 |
| 2.1.3 样品表征与测试 | 第18页 |
| 2.2 N掺杂TiO_2纳米管阵列的表征 | 第18-21页 |
| 2.3 N掺杂TiO_2纳米管阵列中NH4F的量对N含量的影响 | 第21-23页 |
| 2.4 N掺杂TiO_2纳米管阵列的光学性质 | 第23-24页 |
| 2.5 N掺杂TiO_2纳米管阵列对罗丹明B的光降解活性和反应机制 | 第24-26页 |
| 2.6 N掺杂TiO_2纳米管阵列的光催化分解水制氢活性和光催化反应机制 | 第26-28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 N掺杂TiO_2纳米管阵列的形貌、结构与光催化性能调控 | 第30-43页 |
| 3.1 实验部分 | 第30-31页 |
| 3.1.1 试剂 | 第30页 |
| 3.1.2 实验过程 | 第30-31页 |
| 3.1.3 样品表征与测试 | 第31页 |
| 3.2 不同电压对N-TiO_2纳米管阵列的形貌、结构及光催化活性的影响 | 第31-36页 |
| 3.2.1 不同电压下制备的N-TiO_2纳米管阵列的形貌与结构 | 第31-33页 |
| 3.2.2 不同电压下制备的N-TiO_2纳米管阵列的光学性质 | 第33-34页 |
| 3.2.3 不同电压下制备的N-TiO_2纳米管阵列的光降解和光催化制氢活性 | 第34-36页 |
| 3.3 不同煅烧温度对N-TiO_2纳米管阵列的光催化活性影响 | 第36-39页 |
| 3.3.1 不同温度下煅烧的N-TiO_2纳米管阵列的XRD图 | 第36页 |
| 3.3.2 不同温度下煅烧的N-TiO_2纳米管阵列的光学性质 | 第36-37页 |
| 3.3.3 不同温度下煅烧的N-TiO_2纳米管阵列的光降解和光催化制氢活性 | 第37-39页 |
| 3.4 光源及贵金属掺杂对N-TiO_2纳米管阵列的光催化制氢活性的影响 | 第39-41页 |
| 3.4.1 改变光源对N-TiO_2纳米管阵列的光催化制氢活性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 贵金属掺杂对N-TiO_2纳米管阵列的光催化制氢活性的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 N掺杂TiO_2/SrTiO_3复合材料的制备及性质研究 | 第43-58页 |
| 4.1 实验部分 | 第43-44页 |
| 4.1.1 试剂 | 第43页 |
| 4.1.2 实验过程 | 第43-44页 |
| 4.1.3 样品表征与测试 | 第44页 |
| 4.2 不同反应时间对制备的N-TiO_2/SrTiO_3复合材料的影响 | 第44-49页 |
| 4.2.1 不同反应时间制备的N-TiO_2/SrTiO_3复合材料的表征 | 第44-46页 |
| 4.2.2 不同反应时间制备的N-TiO_2/SrTiO_3复合材料的光学性质 | 第46-47页 |
| 4.2.3 不同反应时间制备的N-TiO_2/SrTiO_3复合材料的光降解活性 | 第47-49页 |
| 4.3 不同质量的Sr(OH)2?8H2O对制备的N-TiO_2/SrTiO_3复合材料的影响 | 第49-56页 |
| 4.3.1 后煅烧 | 第49-52页 |
| 4.3.2 先煅烧 | 第52-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
