ZnO纳米线忆阻器的制备及其性能研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 忆阻器的忆阻行为分类 | 第11-12页 |
| 1.3 忆阻器的材料体系分类 | 第12-14页 |
| 1.3.1 二元氧化物 | 第12-13页 |
| 1.3.2 碳基材料 | 第13页 |
| 1.3.3 硫系材料 | 第13页 |
| 1.3.4 钙钛矿氧化物 | 第13页 |
| 1.3.5 单质材料类 | 第13-14页 |
| 1.3.6 固态电解质 | 第14页 |
| 1.3.7 有机介质材料 | 第14页 |
| 1.3.8 电极材料 | 第14页 |
| 1.4 忆阻器的工作机制 | 第14-21页 |
| 1.4.1 导电细丝模型 | 第15-17页 |
| 1.4.2 P-F发射机制 | 第17-18页 |
| 1.4.3 SCLC发射机制 | 第18-19页 |
| 1.4.4 肖特基势垒模型 | 第19-21页 |
| 1.5 忆阻器的结构形式 | 第21-22页 |
| 1.6 氧化锌纳米线忆阻器的研究现状 | 第22-25页 |
| 1.7 忆阻器的研究意义和主要内容 | 第25-27页 |
| 第2章 样品与器件的制备与表征手段 | 第27-34页 |
| 2.1 管式退火炉 | 第27-28页 |
| 2.2 光刻设备简介 | 第28-30页 |
| 2.2.1 匀胶机 | 第28页 |
| 2.2.2 烘烤机 | 第28-29页 |
| 2.2.3 紫外光刻机 | 第29-30页 |
| 2.3 电子束热蒸发 | 第30-32页 |
| 2.4 半导体参数测试仪 | 第32-33页 |
| 2.5 扫描电子显微镜 | 第33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 ZnO纳米线的制备与表征 | 第34-45页 |
| 3.1 ZnO晶体结构和基本性质 | 第34页 |
| 3.2 ZnO纳米材料的制备 | 第34-36页 |
| 3.2.1 化学气相沉积法 | 第35页 |
| 3.2.2 金属有机化学气相沉积 | 第35页 |
| 3.2.3 溶胶-凝胶 | 第35-36页 |
| 3.2.4 脉冲激光沉积 | 第36页 |
| 3.3 CVD实验过程 | 第36-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 ZnO纳米线忆阻器的制备与表征 | 第45-59页 |
| 4.1 紫外光刻技术制备ZnO纳米线忆阻器 | 第45-48页 |
| 4.1.1 光刻实验过程 | 第45-47页 |
| 4.1.2 ZnO纳米线忆阻器的特性测试 | 第47-48页 |
| 4.2 一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器的制备 | 第48-58页 |
| 4.2.1 铜掩膜版的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 器件的制备 | 第49页 |
| 4.2.3 电学特性测试 | 第49-53页 |
| 4.2.4 器件的耐疲劳特性测试 | 第53-54页 |
| 4.2.5 多态存储 | 第54-55页 |
| 4.2.6 自恢复开关特性 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 ZnO纳米线忆阻器机理研究 | 第59-63页 |
| 5.1 ZnO纳米线忆阻器的电学特性分析 | 第59-61页 |
| 5.2 ZnO纳米线忆阻器的低阻态与温度关系 | 第61-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 结论 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第71页 |
