| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 硅纳米线的制备方法 | 第11-16页 |
| 1.1.1 激光烧蚀法 | 第11-12页 |
| 1.1.2 化学气相沉积法 | 第12-13页 |
| 1.1.3 热蒸发法 | 第13页 |
| 1.1.4 一氧化硅蒸发法 | 第13-14页 |
| 1.1.5 物理气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.1.6 化学刻蚀法 | 第15-16页 |
| 1.2 硅纳米线的生长机制 | 第16-18页 |
| 1.2.1 VLS机制 | 第16页 |
| 1.2.2 SLS机制 | 第16-17页 |
| 1.2.3 Top-Down机制 | 第17-18页 |
| 1.3 硅纳米线的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.1 气体探测器 | 第18页 |
| 1.3.2 光探测器 | 第18页 |
| 1.3.3 光电二极管 | 第18-19页 |
| 1.3.4 生物探测器 | 第19页 |
| 1.3.5 太阳能电池 | 第19页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第19-21页 |
| 1.4.1 选题目的 | 第19-20页 |
| 1.4.2 内容安排 | 第20-21页 |
| 第二章 硅纳米线的制备仪器与表征技术 | 第21-27页 |
| 2.1 磁控溅射装置 | 第21-23页 |
| 2.2 硅纳米线的性能表征 | 第23-26页 |
| 2.2.1 拉曼散射谱 | 第23-24页 |
| 2.2.2 傅里叶红外吸收谱 | 第24页 |
| 2.2.3 X射线衍射谱 | 第24页 |
| 2.2.4 紫外-可见透射光谱 | 第24-25页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| 2.2.6 透射电子显微镜(TEM) | 第25-26页 |
| 2.2.7 电导率测试与计算 | 第26页 |
| 2.2.8 I-V曲线测试 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 射频磁控溅射法制备硅纳米线的研究 | 第27-51页 |
| 3.1 实验方法 | 第27-28页 |
| 3.2 磁控溅射法制备的硅纳米线的实验结果与讨论 | 第28-49页 |
| 3.2.1 生长温度对硅纳米线表面形貌的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.2 Ar/H_2流量比对硅纳米线表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.3 制备时间对硅纳米线表面形貌的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.4 硅纳米线的TEM图分析 | 第32-33页 |
| 3.2.5 硅纳米线生长机制及元素成分的分析 | 第33-35页 |
| 3.2.6 硅纳米线的XRD图分析 | 第35页 |
| 3.2.7 硅纳米线的拉曼光谱分析 | 第35-38页 |
| 3.2.8 硅纳米线的FTIR光谱测试结果与分析 | 第38-40页 |
| 3.2.9 生长温度对硅纳米线光学特性的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.10 生长温度对硅纳米线的电学性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.11 Ar/H_2流量比对硅纳米线的光学特性的影响 | 第45-48页 |
| 3.2.12 Ar/H_2流量比对硅纳米线电学特性的影响 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 Te/SiNWs结构的性能研究 | 第51-70页 |
| 4.1 Te薄膜的性能表征 | 第51-57页 |
| 4.1.1 Te薄膜的表面形貌分析 | 第51-53页 |
| 4.1.2 Te薄膜的光学特性 | 第53-57页 |
| 4.2 Te/SiNWs结构的特性研究 | 第57-68页 |
| 4.2.1 Te/SiNWs结构的SEM分析 | 第57-58页 |
| 4.2.2 Te/SiNWs结构的光学特性 | 第58-63页 |
| 4.2.3 Te/SiNWs结构的电学特性 | 第63-64页 |
| 4.2.4 Te/SiNWs结构的拉曼光谱分析 | 第64-67页 |
| 4.2.5 Te/SiNWs结构的XRD分析 | 第67-68页 |
| 4.2.6 Te/SiNWs结构的TEM图分析 | 第68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
