| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究意义和国内外现状 | 第11-13页 |
| 1.1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2 MOSFET的结构和特点 | 第13-15页 |
| 1.3 MOSFET的模型 | 第15-16页 |
| 1.4 MOSFET的关键参数 | 第16-17页 |
| 1.5 MOSFET的漏感的影响 | 第17-18页 |
| 1.6 MOSFET的开关损耗 | 第18-19页 |
| 1.7 雪崩三极管的结构特点和工作模式 | 第19-24页 |
| 1.8 雪崩三极管在脉冲发生器中的应用 | 第24-25页 |
| 第2章 串联MOSFET驱动电路的设计 | 第25-36页 |
| 2.1 MOSFET驱动电路的基本原理 | 第25-26页 |
| 2.2 驱动电路的负载特性和输出阻抗要求 | 第26-30页 |
| 2.2.1 栅极驱动电路的电压限制 | 第26-27页 |
| 2.2.2 驱动电路的容性负载特性 | 第27-29页 |
| 2.2.3 驱动电路对低输出阻抗的要求 | 第29-30页 |
| 2.3 高压陡前沿MOSFET驱动电路的实现方式 | 第30-32页 |
| 2.3.1 使用雪崩三极管的驱动方式 | 第30-31页 |
| 2.3.2 图腾柱结构的驱动方式 | 第31-32页 |
| 2.4 栅极驱动电路的隔离方式 | 第32-33页 |
| 2.5 关断电路的设计 | 第33-34页 |
| 2.6 误导通和误关断的分析 | 第34-36页 |
| 第3章 MOSFET实验电路仿真分析 | 第36-47页 |
| 3.1 MOSFET单元测试仿真电路 | 第36-37页 |
| 3.2 单个MOSFET构成的微脉冲发生器仿真电路 | 第37-38页 |
| 3.3 雪崩三极管推MOSFET的单元实验电路测试 | 第38-39页 |
| 3.4 串联MOSET脉冲发生器仿真电路 | 第39-41页 |
| 3.5 并联转串联的MOSET脉冲发生器仿真电路 | 第41-47页 |
| 3.5.1 稳态均压分析 | 第42-44页 |
| 3.5.2 开关暂态过程的均压分析 | 第44-45页 |
| 3.5.3 仿真结果分析 | 第45-47页 |
| 第4章 串联MOSFET实验电路测试和性能分析 | 第47-53页 |
| 4.1 实验主电路的设计 | 第47-49页 |
| 4.2 Mosfet栅极驱动电路的设计和芯片选型 | 第49-51页 |
| 4.3 实验结果验证 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57页 |