| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·液晶相简介 | 第10页 |
| ·液晶相的研究进展 | 第10页 |
| ·研究液晶相的基本动机 | 第10-13页 |
| 第二章 EuFe_2(As_(1-x)P_x)_2 的基本概况与生长方法 | 第13-14页 |
| ·EuFe_2(As_(1-x)P_x)_2 的基本概况 | 第13页 |
| ·EuFe_2(As_(1-x)P_x)_2 的生长方法 | 第13-14页 |
| 第三章 实验测量 | 第14-23页 |
| ·总述 | 第14页 |
| ·实验的总体思路综述 | 第14-15页 |
| ·实验的测量原理 | 第15-18页 |
| ·转矩磁力计总体测量原理 | 第15-16页 |
| ·校准电路和测量电路的基本原理 | 第16-18页 |
| ·测量电路的基本原理 | 第16-17页 |
| ·校准电路的基本原理 | 第17-18页 |
| ·实验基础平台简介 | 第18-21页 |
| ·实验基本方法步骤 | 第21-23页 |
| ·转矩芯片的校准 | 第21页 |
| ·样品磁转矩的测量 | 第21-23页 |
| 第四章 数据分析与结论 | 第23-38页 |
| ·母体样品 | 第23-26页 |
| ·欠参杂样品 | 第26-29页 |
| ·最佳掺杂样品 | 第29-31页 |
| ·过掺杂样品 | 第31-33页 |
| ·低温阶段torque曲线的解析 | 第33-35页 |
| ·相图的总结 | 第35-38页 |
| 第五章 Nb_2PdS_5体系中强上临界场的研究 | 第38-52页 |
| ·研究相关背景 | 第38页 |
| ·新型准一维超导体Nb_2PdS_5简介 | 第38-39页 |
| ·样品的制备 | 第39页 |
| ·测试结果与分析 | 第39-48页 |
| ·结构表征 | 第40-41页 |
| ·磁化率测试 | 第41-42页 |
| ·热力学性质 | 第42-43页 |
| ·电输运性质 | 第43-45页 |
| ·磁场下输运性质 | 第45-48页 |
| ·结论与总结讨论 | 第48-52页 |
| ·T_c(K)和T_(min)(K)变化分析 | 第48页 |
| ·强上临界场的理论解释 | 第48-50页 |
| ·强上临界场其他因素讨论 | 第50页 |
| ·结论总结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
| 科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
