| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·非易失性存储器件简介 | 第9-10页 |
| ·纳米浮栅非易失性存储器(NFG-NVM)发展的趋势和存在的问题 | 第10-11页 |
| ·纳米浮栅非易失性存储器的研究现状 | 第11-12页 |
| ·在本文的研究中，隧穿/控制层以及纳米微粒电荷存储单元材料的选择 | 第12-13页 |
| ·本文研究的目的、意义和主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 薄膜制备，微结构观测和电学性能表征方法简介 | 第15-20页 |
| ·薄膜的制备与沉积速率的标定 | 第15-16页 |
| ·薄膜的制备 | 第15页 |
| ·射频磁控溅射原理简介 | 第15-16页 |
| ·沉积速率的标定 | 第16页 |
| ·薄膜微结构观测、成分表征方法 | 第16-18页 |
| ·原子力显微镜(AFM)原理简介 | 第16-17页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)原理简介 | 第17页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS)原理简介 | 第17-18页 |
| ·薄膜电学性能的测量及方法简介 | 第18-19页 |
| ·薄膜MOS电容器结构C-V特性曲线的测量与校正 | 第18页 |
| ·电荷存储相关电学性能参数的提取 | 第18-19页 |
| ·薄膜MOS电容器结构的漏电流-电压（I-V）特性曲线测量 | 第19-20页 |
| 第三章 掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的制备与微结构观测 | 第20-23页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜样品的制备 | 第20-21页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的形貌、微结构观测与分析 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储特性 | 第23-31页 |
| ·掺镍前后HfO_2薄膜的介电性能对比 | 第23页 |
| ·掺镍前后HfO_2薄膜的C-V特性曲线的测量与分析 | 第23-26页 |
| ·不同测量温度的掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储特性 | 第23-25页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜MOS电容器结构的能带匹配图 | 第25-26页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储耐受性 | 第26-27页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储时效性 | 第27-28页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的I-V特性曲线的测量与分析 | 第28-30页 |
| ·掺镍前后HfO_2薄膜漏电流特性对比 | 第28页 |
| ·掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷隧穿机制解释 | 第28-29页 |
| ·不同测量温度下的掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的I-V特性曲线 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第五章 光辐照下的掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储特性 | 第31-37页 |
| ·光辐照条件下的存储器的研究现状 | 第31页 |
| ·光辐照前后，Si衬底C-V特性曲线的研究 | 第31-32页 |
| ·光辐照前后，参比样品的C-V特性曲线 | 第32-33页 |
| ·光辐照前后，掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷存储特性 | 第33-35页 |
| ·光辐照前后，不同扫描电压下掺镍纳米微粒HfO_2薄膜的电荷储存特性 | 第33-34页 |
| ·光源频率对掺镍纳米微粒HfO_2薄膜电荷存储特性的影响 | 第34-35页 |
| ·光辐照影响掺镍HfO_2薄膜电荷储存特性的物理机制解释 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第六章 结论与展望 | 第37-39页 |
| ·主要研究内容与结论 | 第37-38页 |
| ·未来研究计划与展望 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-46页 |
| 硕士期间发表论文 | 第46页 |
| 参加学术活动情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
