| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·多铁性材料简介 | 第11-14页 |
| ·多铁性材料的发展历史 | 第11-12页 |
| ·多铁性材料的种类 | 第12-14页 |
| ·氧空位对氧化物薄膜的调控 | 第14-18页 |
| ·氧空位对介电性质的调控 | 第14-16页 |
| ·氧空位对漏电性质的调控 | 第16-17页 |
| ·氧空位对铁电性质的调控 | 第17-18页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3材料及其研究进展 | 第18-21页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3材料构成 | 第18-19页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3材料的研究进展 | 第19-21页 |
| ·本论文研究内容和思路 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3单相薄膜的制备及表征方法 | 第28-44页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3陶瓷靶材的制备 | 第28-29页 |
| ·薄膜制备方法 | 第29-34页 |
| ·脉冲激光沉积技术简介 | 第29-30页 |
| ·脉冲激光沉积系统结构 | 第30-32页 |
| ·脉冲激光沉积系统工作原理和优势 | 第32-33页 |
| ·PLD制备Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3薄膜的制备工艺 | 第33-34页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3单相薄膜的表征方法 | 第34-43页 |
| ·X射线衍射仪 | 第34-36页 |
| ·原子力显微镜 | 第36-37页 |
| ·台阶仪 | 第37页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第37-38页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第38-39页 |
| ·卢瑟福背散射谱 | 第39-40页 |
| ·综合物性测试系统 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_(3-δ) 薄膜的表征以及后退火的影响 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3薄膜的微观结构 | 第44-50页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3靶材的相结构 | 第44-45页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3薄膜的微观结构和基本表征 | 第45-50页 |
| ·后退火温度对Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_3薄膜的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第四章 Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_(3-δ) 薄膜介电性质的研究 | 第57-73页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_(3-δ) 薄膜中介电弛豫现象 | 第58-65页 |
| ·薄膜介电损耗的测量 | 第58-61页 |
| ·薄膜激活能的计算 | 第61-63页 |
| ·薄膜介电模量的计算 | 第63-65页 |
| ·弛豫机制分析 | 第65-69页 |
| ·EBTO薄膜阻抗谱分析 | 第65-67页 |
| ·氧空位对EBTO薄膜介电弛豫的调控 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_(3-δ) 薄膜漏电性质 | 第73-83页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·Eu_(0.5)Ba_(0.5)TiO_(3-δ) 薄膜中漏电流测试结果和分析 | 第73-79页 |
| ·EBTO漏电流密度 | 第73-75页 |
| ·EBTO薄膜漏电流机制分析 | 第75-77页 |
| ·EBTO薄膜中氧空位含量对漏电流影响 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第六章 总结 | 第83-85页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第83-84页 |
| ·本文尚且存在的问题和后续工作 | 第84-85页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
