| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·半导体量子阱 | 第9-10页 |
| ·量子阱 | 第9-10页 |
| ·阶梯量子阱 | 第10页 |
| ·InGaAsP/InP异质结构材料的物理特性及应用 | 第10-11页 |
| ·载流子的散射原理 | 第11页 |
| ·晶格振动散射 | 第11页 |
| ·电离杂质散射 | 第11页 |
| ·计算理论和方法 | 第11-14页 |
| ·有效质量包络函数近似 | 第11-12页 |
| ·打靶法 | 第12-13页 |
| ·打靶法中SQW的参数 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子-LO声子的散射率 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·理论模型 | 第15-18页 |
| ·单个电子-LO声子散射率的计算 | 第15-17页 |
| ·多个电子-LO声子平均散射率的计算 | 第17-18页 |
| ·结果与讨论 | 第18-24页 |
| ·Ga、As组分和阱宽对子带能级差的影响 | 第18-19页 |
| ·电子初态能对电子-LO声子散射率的影响 | 第19页 |
| ·电子温度对电子-LO声子散射率和平均散射率的影响 | 第19-21页 |
| ·阱宽对电子-LO声子散射率和平均散射率的影响 | 第21-23页 |
| ·阶梯层高度对电子-LO声子平均散射率的影响 | 第23页 |
| ·电子-LO声子的平均散射率与子带能级差的关系 | 第23-24页 |
| ·结论 | 第24-25页 |
| 第三章 InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率 | 第25-34页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·理论模型 | 第25-28页 |
| ·两个电子之间电子-电子散射率的计算 | 第25-27页 |
| ·多个电子之间电子-电子散射率的计算 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·电子初态能对电子-电子散射率的影响 | 第28-29页 |
| ·电子温度对电子-电子散射率和平均散射率的影响 | 第29-30页 |
| ·阱宽对电子-电子平均散射率的影响 | 第30-31页 |
| ·阶梯层高度对电子-电子平均散射率的影响 | 第31页 |
| ·载流子浓度对电子-电子平均散射率的影响 | 第31-32页 |
| ·电子-电子的平均散射率与子带能级差的关系 | 第32页 |
| ·结论 | 第32-34页 |
| 第四章 外场对InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子散射率的影响 | 第34-40页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·理论模型 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·外加电场对电子散射率的影响 | 第35页 |
| ·外加电场对电子平均散射率的影响 | 第35-37页 |
| ·外加磁场对电子-电子散射率的影响 | 第37-38页 |
| ·外加磁场对电子平均散射率的影响 | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第五章 总结与展望 | 第40-42页 |
| ·本文总结 | 第40页 |
| ·研究展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
