| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·GaN基材料简述 | 第12-14页 |
| ·GaN的发展历史 | 第12页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·GaN的光电性质 | 第13-14页 |
| ·GaN基材料中的缺陷 | 第14-18页 |
| ·GaN单晶中的缺陷 | 第14-16页 |
| ·GaN基LED器件的常见缺陷---V形坑 | 第16-18页 |
| ·GaN基LED高位错密度高发光效率的物理机制 | 第18-21页 |
| ·局域态屏蔽位错理论 | 第18-19页 |
| ·V形坑屏蔽位错理论 | 第19-21页 |
| ·V形坑的形成 | 第21-25页 |
| ·应力作用下的V形坑的形成 | 第22-23页 |
| ·原子迁移率作用下的V形坑的形成 | 第23页 |
| ·应力和低原子迁移率共同作用下的V形坑的形成 | 第23-25页 |
| ·V形坑附近的LED的光电性能 | 第25-27页 |
| ·V形坑附近的载流子输运 | 第27-28页 |
| ·V形坑的调控 | 第28-30页 |
| ·本文研究意义及主要工作 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 GaN基蓝光LED的生长原理和表征方法 | 第35-47页 |
| ·MOCVD设备 | 第35-38页 |
| ·气体运输系统 | 第36页 |
| ·反应室系统 | 第36-37页 |
| ·原位监测系统 | 第37-38页 |
| ·生长控制系统 | 第38页 |
| ·尾气处理系统 | 第38页 |
| ·MOCVD设备样品生长过程 | 第38-41页 |
| ·MO源的特性 | 第39页 |
| ·气相反应 | 第39-41页 |
| ·外延生长 | 第41页 |
| ·样品表征方法 | 第41-44页 |
| ·光致发光谱仪 | 第41-42页 |
| ·芯片测试仪 | 第42-43页 |
| ·原子力显微镜 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第三章 中高温GaN插入层厚度对GaN光电性能影响 | 第47-67页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-62页 |
| ·LED外延片的HRXRD分析 | 第49-50页 |
| ·LED外延片的PL Mapping分析 | 第50-51页 |
| ·LED外延片的变功率PL谱分析 | 第51-55页 |
| ·芯片的统计分析 | 第55-58页 |
| ·芯片的光电数据分析 | 第58-60页 |
| ·AFM及相关物理机制的分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第四章 温度梯度插入层结构对LED光电性能的影响 | 第67-77页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·实验 | 第67-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-74页 |
| ·LED外延片的XRD分析 | 第69页 |
| ·LED外延片的PL分析 | 第69-70页 |
| ·LED外延片的PL mapping分析 | 第70-71页 |
| ·LED芯片的峰值波长的统计分析 | 第71-72页 |
| ·LED芯片的峰值波长-光输出功率的统计分析 | 第72-73页 |
| ·LED芯片的峰值波长-半峰宽的统计分析 | 第73页 |
| ·LED芯片的峰值波长-正向偏压的统计分析 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第五章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81页 |