| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·太阳能电池 | 第11-18页 |
| ·太阳能电池发展史及研究现状 | 第11-14页 |
| ·半导体薄膜太阳能电池的结构 | 第14-16页 |
| ·半导体薄膜太阳能电池吸收层材料的选择及种类 | 第16-18页 |
| ·CuInS_2薄膜太阳能电池 | 第18-24页 |
| ·CuInS_2材料的基本性质 | 第18-21页 |
| ·CuInS_2薄膜电池的研究现状及问题 | 第21-22页 |
| ·本课题的选题依据和主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 半导体薄膜电池模拟软件基本介绍 | 第24-32页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·半导体薄膜电池模拟软件种类 | 第24-26页 |
| ·SCAPS模拟软件简介 | 第24-25页 |
| ·PC1D模拟软件简介 | 第25页 |
| ·AFORS-HET模拟软件简介 | 第25-26页 |
| ·AMPS-1D的介绍及其基本原理 | 第26-32页 |
| ·AMPS-1D基本介绍 | 第26页 |
| ·AMPS-1D模拟基本方程 | 第26-27页 |
| ·AMPS-1D模拟所需参数 | 第27-30页 |
| ·AMPS-1D软件模拟计算结果 | 第30-31页 |
| ·AMPS-1D模拟软件的特征 | 第31-32页 |
| 第三章 以CdS为缓冲层的CuInS_2薄膜电池的数值模拟研究 | 第32-41页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·模拟所需的组成电池的各层材料参数 | 第33-34页 |
| ·数值模拟结果及讨论 | 第34-40页 |
| ·吸收层CuInS_2不同禁带宽度E_(g,a)对电池性能的影响 | 第34-37页 |
| ·吸收层CuInS_2不同厚度d_a对电池性能的影响 | 第37-39页 |
| ·缓冲层CdS不同厚度d_b对电池性能的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 以单层Zn(O,S)为缓冲层的CuInS_2薄膜电池的模拟研究 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·模拟所需的各层材料参数 | 第42页 |
| ·数值模拟结果及讨论 | 第42-48页 |
| ·吸收层CuInS_2的最佳参数 | 第42-45页 |
| ·缓冲层Zn(O,S)的最佳参数 | 第45-46页 |
| ·缓冲层/吸收层界面缺陷浓度对电池性能的影响 | 第46-47页 |
| ·器件参数对电池性能的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 以graded-Zn(O,S)为缓冲层的CuInS_2薄膜电池结构设计 | 第50-61页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·模拟所需的组成电池的各层材料参数 | 第50-52页 |
| ·数值模拟结果及讨论 | 第52-60页 |
| ·能带补偿△E_V~(ba)、△_C~(ba)和△E_C~(wb)对电池性能的影响 | 第52-55页 |
| ·以不同结构Zn(O,S)为缓冲层的CuInS_2薄膜电池性能 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 全文总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
