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化学机械抛光试验及其材料去除机理的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-29页
   ·论文课题来源第11页
   ·研究背景第11-25页
     ·化学机械抛光技术第15-18页
     ·化学机械抛光技术要素第18-25页
   ·化学机械抛光技术研究的难题第25-27页
   ·本课题的研究内容及其意义第27-29页
第二章 化学机械抛光试验和材料去除机理研究第29-50页
   ·绪论第29页
   ·化学机械抛光材料去除的数学模型第29-32页
     ·Preston 方程第29页
     ·材料去除的数学模型第29-30页
     ·综合数学模型第30-32页
   ·化学机械抛光过程中的化学作用第32-36页
     ·抛光液化学成分的影响第33-34页
     ·化学作用产生化学反应膜第34页
     ·化学作用削弱表面键能强度第34-36页
   ·化学机械抛光材料去除机理的研究第36-45页
     ·化学机械抛光的连续材料去除机理第36-39页
     ·化学机械抛光的分子量级的材料去除机理第39-45页
   ·化学机械抛光的表面损伤研究第45-48页
     ·单晶硅晶圆表面损伤的研究基础第45-47页
     ·单晶硅晶圆表面损伤研究的技术基础第47-48页
   ·本章小结第48-50页
第三章 考虑磨粒变形的化学机械抛光建模实验和分析第50-71页
   ·绪论第50页
   ·考虑磨粒变形的材料去除数学建模第50-57页
     ·抛光磨粒的变形第51-52页
     ·磨粒和抛光垫的接触第52-53页
     ·磨粒和晶圆表面的接触第53页
     ·磨粒压入晶圆表面的深度第53-55页
     ·确定化学机械抛光过程中的材料去除率第55-57页
   ·实验第57-62页
     ·抛光机第57-58页
     ·单晶硅试样第58-61页
     ·抛光工艺参数第61-62页
     ·抛光结果处理和数据采集第62页
   ·结果与讨论第62-70页
     ·磨粒变形因素对材料去除率的影响第62-65页
     ·磨粒变形因素与磨粒压入晶圆表面深度的关系第65-69页
     ·讨论与分析第69-70页
   ·本章小结第70-71页
第四章 单晶硅纳米级材料去除实验及其机理研究第71-111页
   ·绪论第71页
   ·实验第71-75页
     ·UMT-2 微摩擦试验机第73-74页
     ·Phase Shift MicroXAM-3D 三维白光干涉表面形貌仪第74-75页
   ·结果与讨论第75-110页
     ·抛光力对摩擦系数和材料去除率的影响第75-90页
     ·滑动速度对摩擦系数和材料去除率的影响第90-103页
     ·关于摩擦系数和材料去除率的讨论第103-107页
     ·单次磨痕深度的讨论第107-110页
   ·本章小结第110-111页
第五章 单晶硅晶圆化学机械抛光表面损伤的实验研究第111-140页
   ·绪论第111页
   ·无损伤的化学机械抛光技术的研究第111-112页
     ·表面损伤的研究第111-112页
     ·亚表层损伤的研究第112页
   ·表面损伤实验研究第112-125页
     ·实验条件第112-113页
     ·结果分析第113-125页
   ·亚表层损伤实验研究第125-131页
     ·TEM 制样第125-126页
     ·Tecnai G2 F20 S-Twin 透射电子显微镜观察第126页
     ·结果与分析第126-131页
   ·原子力显微镜的单分子层材料去除实验第131-137页
     ·CSPM5000 扫描探针显微镜第132页
     ·实验方法第132-133页
     ·结果与分析第133-137页
   ·机械能和化学能在化学机械抛光中相互作用的分析研究第137-139页
     ·机械作用和化学作用在化学机械抛光中相互作用的实验研究第137-138页
     ·化学作用和机械作用对抛光后表面质量的影响第138-139页
   ·本章小结第139-140页
第六章 结语与展望第140-144页
   ·论文的创新点第140页
   ·论文的主要内容和结论第140-142页
   ·未来工作的展望第142-144页
致谢第144-145页
参考文献第145-157页
附录一:作者在攻读博士学位期间发表的论文第157-158页
附录二:论文的创新点第158页

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