摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-29页 |
·论文课题来源 | 第11页 |
·研究背景 | 第11-25页 |
·化学机械抛光技术 | 第15-18页 |
·化学机械抛光技术要素 | 第18-25页 |
·化学机械抛光技术研究的难题 | 第25-27页 |
·本课题的研究内容及其意义 | 第27-29页 |
第二章 化学机械抛光试验和材料去除机理研究 | 第29-50页 |
·绪论 | 第29页 |
·化学机械抛光材料去除的数学模型 | 第29-32页 |
·Preston 方程 | 第29页 |
·材料去除的数学模型 | 第29-30页 |
·综合数学模型 | 第30-32页 |
·化学机械抛光过程中的化学作用 | 第32-36页 |
·抛光液化学成分的影响 | 第33-34页 |
·化学作用产生化学反应膜 | 第34页 |
·化学作用削弱表面键能强度 | 第34-36页 |
·化学机械抛光材料去除机理的研究 | 第36-45页 |
·化学机械抛光的连续材料去除机理 | 第36-39页 |
·化学机械抛光的分子量级的材料去除机理 | 第39-45页 |
·化学机械抛光的表面损伤研究 | 第45-48页 |
·单晶硅晶圆表面损伤的研究基础 | 第45-47页 |
·单晶硅晶圆表面损伤研究的技术基础 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第三章 考虑磨粒变形的化学机械抛光建模实验和分析 | 第50-71页 |
·绪论 | 第50页 |
·考虑磨粒变形的材料去除数学建模 | 第50-57页 |
·抛光磨粒的变形 | 第51-52页 |
·磨粒和抛光垫的接触 | 第52-53页 |
·磨粒和晶圆表面的接触 | 第53页 |
·磨粒压入晶圆表面的深度 | 第53-55页 |
·确定化学机械抛光过程中的材料去除率 | 第55-57页 |
·实验 | 第57-62页 |
·抛光机 | 第57-58页 |
·单晶硅试样 | 第58-61页 |
·抛光工艺参数 | 第61-62页 |
·抛光结果处理和数据采集 | 第62页 |
·结果与讨论 | 第62-70页 |
·磨粒变形因素对材料去除率的影响 | 第62-65页 |
·磨粒变形因素与磨粒压入晶圆表面深度的关系 | 第65-69页 |
·讨论与分析 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
第四章 单晶硅纳米级材料去除实验及其机理研究 | 第71-111页 |
·绪论 | 第71页 |
·实验 | 第71-75页 |
·UMT-2 微摩擦试验机 | 第73-74页 |
·Phase Shift MicroXAM-3D 三维白光干涉表面形貌仪 | 第74-75页 |
·结果与讨论 | 第75-110页 |
·抛光力对摩擦系数和材料去除率的影响 | 第75-90页 |
·滑动速度对摩擦系数和材料去除率的影响 | 第90-103页 |
·关于摩擦系数和材料去除率的讨论 | 第103-107页 |
·单次磨痕深度的讨论 | 第107-110页 |
·本章小结 | 第110-111页 |
第五章 单晶硅晶圆化学机械抛光表面损伤的实验研究 | 第111-140页 |
·绪论 | 第111页 |
·无损伤的化学机械抛光技术的研究 | 第111-112页 |
·表面损伤的研究 | 第111-112页 |
·亚表层损伤的研究 | 第112页 |
·表面损伤实验研究 | 第112-125页 |
·实验条件 | 第112-113页 |
·结果分析 | 第113-125页 |
·亚表层损伤实验研究 | 第125-131页 |
·TEM 制样 | 第125-126页 |
·Tecnai G2 F20 S-Twin 透射电子显微镜观察 | 第126页 |
·结果与分析 | 第126-131页 |
·原子力显微镜的单分子层材料去除实验 | 第131-137页 |
·CSPM5000 扫描探针显微镜 | 第132页 |
·实验方法 | 第132-133页 |
·结果与分析 | 第133-137页 |
·机械能和化学能在化学机械抛光中相互作用的分析研究 | 第137-139页 |
·机械作用和化学作用在化学机械抛光中相互作用的实验研究 | 第137-138页 |
·化学作用和机械作用对抛光后表面质量的影响 | 第138-139页 |
·本章小结 | 第139-140页 |
第六章 结语与展望 | 第140-144页 |
·论文的创新点 | 第140页 |
·论文的主要内容和结论 | 第140-142页 |
·未来工作的展望 | 第142-144页 |
致谢 | 第144-145页 |
参考文献 | 第145-157页 |
附录一:作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第157-158页 |
附录二:论文的创新点 | 第158页 |