| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·二元光学概述 | 第7-8页 |
| ·光刻技术发展现状 | 第8-10页 |
| ·本论文研究目的及其意义 | 第10-11页 |
| 第二章 磷化铟基梯度渐变结构设计 | 第11-19页 |
| ·磷化铟单晶材料的基本性质及刻蚀工艺现状 | 第11-13页 |
| ·磷化铟基梯度渐变结构的参数计算方法 | 第13-19页 |
| 第三章 多光束激光干涉光刻系统搭建及渐变结构制备 | 第19-33页 |
| ·激光干涉光刻技术的理论基础 | 第19-20页 |
| ·双光束干涉直写曝光 | 第20-22页 |
| ·三光束干涉曝光 | 第22-26页 |
| ·四光束干涉直写曝光 | 第26-33页 |
| 第四章 激光干涉诱导电化学制备渐变结构及光学特性分析 | 第33-54页 |
| ·电化学刻蚀的实验条件及实验装置 | 第33-34页 |
| ·电化学刻蚀制备有序阵列纳米多孔结构 | 第34-43页 |
| ·结合三光束光刻系统与电化学制备纳米有序阵列结构 | 第43-47页 |
| ·结合四光束光刻系统与电化学制备纳米渐变结构 | 第47-52页 |
| ·梯度渐变结构光谱特性测试 | 第52-54页 |
| 第五章 展望与总结 | 第54-55页 |
| ·展望与总结 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |