| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引论 | 第9-19页 |
| ·太阳能电池简史 | 第9-14页 |
| ·敏化太阳能电池 | 第9-10页 |
| ·塑料太阳能电池 | 第10-11页 |
| ·无机太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·无机太阳能电池的光伏原理 | 第12-14页 |
| ·三元黄铜矿半导体 A~IB~(III(C_2~(VI)和 A~IB~(IV)C_2~V研究方法回顾 | 第14-17页 |
| ·CuInS_2黄铜矿半导体性质及用途 | 第17-19页 |
| 第2章 第一性原理计算方法概述 | 第19-30页 |
| ·固体物理基础 | 第20-23页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第20页 |
| ·Hartree-Fock 方程 | 第20-22页 |
| ·Bloch 定理 | 第22-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第23-24页 |
| ·单电子方程 | 第24页 |
| ·交换关联泛函 | 第24-25页 |
| ·正交平面波方法 | 第25-27页 |
| ·赝势 | 第27-28页 |
| ·基于密度泛函理论的第一性原理软件计算过程 | 第28-30页 |
| 第3章 黄铜矿结构 CuInS_2缺陷计算 | 第30-48页 |
| ·计算方法 | 第30-33页 |
| ·计算细节 | 第33-36页 |
| ·测试 | 第36-37页 |
| ·形成缺陷的热力学限制 | 第37-40页 |
| ·孤立点缺陷的形成能 | 第40-42页 |
| ·孤立点缺陷的转变能级 | 第42-44页 |
| ·复合缺陷的形成条件 | 第44-46页 |
| ·复合缺陷的形成能 | 第46-48页 |
| 第4章 铜铟原子个数比与发光波长的正相关关系原因解释 | 第48-57页 |
| ·复合缺陷与能带结构 | 第49-53页 |
| ·对带隙和铜铟原子个数比负相关关系的解释 | 第53-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 附录：对 p-d 排斥的简要说明 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |