摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第1章 前言 | 第8-20页 |
·选题背景 | 第8-9页 |
·金属氧化物气敏传感器的发展 | 第8-9页 |
·金属氧化物半导体的光电化学性能 | 第9页 |
·TiO_2纳米管的研究现状 | 第9-16页 |
·TiO_2纳米管的性质 | 第10页 |
·TiO_2纳米管的制备方法 | 第10-13页 |
·金属/金属氧化物复合 TiO_2纳米管的制备 | 第13-16页 |
·TiO_2纳米管的气敏机理 | 第16-17页 |
·TiO_2纳米管的光生阴极保护机理 | 第17-18页 |
·论文主要内容及研究意义 | 第18-20页 |
·课题的提出与意义 | 第18-19页 |
·论文的主要内容 | 第19-20页 |
第2章 制备条件及表征方法 | 第20-28页 |
·实验研究内容 | 第20-21页 |
·主要的实验仪器及药品 | 第21页 |
·TiO_2纳米管阵列的制备过程 | 第21页 |
·实验表征手段 | 第21-24页 |
·X 射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
·场发射扫描电镜(FE-SEM) | 第23页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
·X 射线光电子能谱(XPS) | 第23-24页 |
·薄膜的气敏性能测试 | 第24-26页 |
·气敏测试元件的制备 | 第24页 |
·气敏元件的表征参数 | 第24-26页 |
·薄膜的光电性能测试 | 第26-28页 |
·光电测试电极的准备 | 第26页 |
·光电流测试(I-t) | 第26-27页 |
·光电压测试(U-t) | 第27页 |
·阻抗谱测试 | 第27-28页 |
第3章 合金阳极氧化法制备原位 Au 修饰 TiO_2纳米管及其 NO_2气敏效应 | 第28-42页 |
·引言 | 第28-29页 |
·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的制备 | 第29-31页 |
·仪器与药品 | 第29页 |
·试样的预处理 | 第29页 |
·阳极氧化过程 | 第29-30页 |
·试样的热处理 | 第30-31页 |
·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的形貌表征 | 第31-35页 |
·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的 NO_2气敏测试和分析 | 第35-40页 |
·气敏测试方法 | 第35-36页 |
·气敏测试结果 | 第36-38页 |
·气敏机理分析 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第4章 TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象研究 | 第42-50页 |
·引言 | 第42-43页 |
·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的制备 | 第43-44页 |
·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的形貌表征 | 第44-46页 |
·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象 | 第46-49页 |
·光电流测试 | 第46-47页 |
·开路电位测试 | 第47-48页 |
·放电弛豫现象的机理分析 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
第5章 溶液在 V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面的扩散行为的 EIS 初步研究 | 第50-61页 |
·引言 | 第50-51页 |
·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的制备 | 第51-52页 |
·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的形貌表征 | 第52-56页 |
·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面溶液扩散行为的 EIS 分析 | 第56-57页 |
·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的光促亲水性机理分析 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第6章 结论与后续工作建议 | 第61-63页 |
·结论 | 第61-62页 |
·后续工作建议 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第71页 |