| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 前言 | 第8-20页 |
| ·选题背景 | 第8-9页 |
| ·金属氧化物气敏传感器的发展 | 第8-9页 |
| ·金属氧化物半导体的光电化学性能 | 第9页 |
| ·TiO_2纳米管的研究现状 | 第9-16页 |
| ·TiO_2纳米管的性质 | 第10页 |
| ·TiO_2纳米管的制备方法 | 第10-13页 |
| ·金属/金属氧化物复合 TiO_2纳米管的制备 | 第13-16页 |
| ·TiO_2纳米管的气敏机理 | 第16-17页 |
| ·TiO_2纳米管的光生阴极保护机理 | 第17-18页 |
| ·论文主要内容及研究意义 | 第18-20页 |
| ·课题的提出与意义 | 第18-19页 |
| ·论文的主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 制备条件及表征方法 | 第20-28页 |
| ·实验研究内容 | 第20-21页 |
| ·主要的实验仪器及药品 | 第21页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的制备过程 | 第21页 |
| ·实验表征手段 | 第21-24页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第22-23页 |
| ·场发射扫描电镜（FE-SEM） | 第23页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第23页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第23-24页 |
| ·薄膜的气敏性能测试 | 第24-26页 |
| ·气敏测试元件的制备 | 第24页 |
| ·气敏元件的表征参数 | 第24-26页 |
| ·薄膜的光电性能测试 | 第26-28页 |
| ·光电测试电极的准备 | 第26页 |
| ·光电流测试（I-t） | 第26-27页 |
| ·光电压测试（U-t） | 第27页 |
| ·阻抗谱测试 | 第27-28页 |
| 第3章 合金阳极氧化法制备原位 Au 修饰 TiO_2纳米管及其 NO_2气敏效应 | 第28-42页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的制备 | 第29-31页 |
| ·仪器与药品 | 第29页 |
| ·试样的预处理 | 第29页 |
| ·阳极氧化过程 | 第29-30页 |
| ·试样的热处理 | 第30-31页 |
| ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的形貌表征 | 第31-35页 |
| ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的 NO_2气敏测试和分析 | 第35-40页 |
| ·气敏测试方法 | 第35-36页 |
| ·气敏测试结果 | 第36-38页 |
| ·气敏机理分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象研究 | 第42-50页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的制备 | 第43-44页 |
| ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的形貌表征 | 第44-46页 |
| ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象 | 第46-49页 |
| ·光电流测试 | 第46-47页 |
| ·开路电位测试 | 第47-48页 |
| ·放电弛豫现象的机理分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 溶液在 V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面的扩散行为的 EIS 初步研究 | 第50-61页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的制备 | 第51-52页 |
| ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的形貌表征 | 第52-56页 |
| ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面溶液扩散行为的 EIS 分析 | 第56-57页 |
| ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的光促亲水性机理分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第6章 结论与后续工作建议 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·后续工作建议 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第71页 |
