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复合TiO2纳米管阵列的光电及气敏性质研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第1章 前言第8-20页
   ·选题背景第8-9页
     ·金属氧化物气敏传感器的发展第8-9页
     ·金属氧化物半导体的光电化学性能第9页
   ·TiO_2纳米管的研究现状第9-16页
     ·TiO_2纳米管的性质第10页
     ·TiO_2纳米管的制备方法第10-13页
     ·金属/金属氧化物复合 TiO_2纳米管的制备第13-16页
   ·TiO_2纳米管的气敏机理第16-17页
   ·TiO_2纳米管的光生阴极保护机理第17-18页
   ·论文主要内容及研究意义第18-20页
     ·课题的提出与意义第18-19页
     ·论文的主要内容第19-20页
第2章 制备条件及表征方法第20-28页
   ·实验研究内容第20-21页
   ·主要的实验仪器及药品第21页
   ·TiO_2纳米管阵列的制备过程第21页
   ·实验表征手段第21-24页
     ·X 射线衍射(XRD)第22-23页
     ·场发射扫描电镜(FE-SEM)第23页
     ·透射电子显微镜(TEM)第23页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第23-24页
   ·薄膜的气敏性能测试第24-26页
     ·气敏测试元件的制备第24页
     ·气敏元件的表征参数第24-26页
   ·薄膜的光电性能测试第26-28页
     ·光电测试电极的准备第26页
     ·光电流测试(I-t)第26-27页
     ·光电压测试(U-t)第27页
     ·阻抗谱测试第27-28页
第3章 合金阳极氧化法制备原位 Au 修饰 TiO_2纳米管及其 NO_2气敏效应第28-42页
   ·引言第28-29页
   ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的制备第29-31页
     ·仪器与药品第29页
     ·试样的预处理第29页
     ·阳极氧化过程第29-30页
     ·试样的热处理第30-31页
   ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的形貌表征第31-35页
   ·原位 Au 修饰 TiO_2纳米管的 NO_2气敏测试和分析第35-40页
     ·气敏测试方法第35-36页
     ·气敏测试结果第36-38页
     ·气敏机理分析第38-40页
   ·本章小结第40-42页
第4章 TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象研究第42-50页
   ·引言第42-43页
   ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的制备第43-44页
   ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的形貌表征第44-46页
   ·TiO_2-WO3复合纳米管阵列的放电弛豫现象第46-49页
     ·光电流测试第46-47页
     ·开路电位测试第47-48页
     ·放电弛豫现象的机理分析第48-49页
   ·本章小结第49-50页
第5章 溶液在 V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面的扩散行为的 EIS 初步研究第50-61页
   ·引言第50-51页
   ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的制备第51-52页
   ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的形貌表征第52-56页
   ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列表面溶液扩散行为的 EIS 分析第56-57页
   ·V 掺杂 TiO_2纳米管阵列的光促亲水性机理分析第57-59页
   ·本章小结第59-61页
第6章 结论与后续工作建议第61-63页
   ·结论第61-62页
   ·后续工作建议第62-63页
参考文献第63-69页
致谢第69-71页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第71页

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