| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·纳米材料 | 第11-12页 |
| ·异质结纳米材料 | 第12-13页 |
| ·ZnSe、Si材料的性质与应用及ZnSe/Si异质结纳米线的研究状况 | 第13-14页 |
| ·本文工作 | 第14-15页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第15-25页 |
| ·第一性原理 | 第15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-19页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第16页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第16-18页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| ·交换关联势 | 第19-21页 |
| ·局域密度近似 | 第19-21页 |
| ·广义梯度近似 | 第21页 |
| ·赝势 | 第21-23页 |
| ·赝势平而波理论 | 第21-23页 |
| ·超软赝势 | 第23页 |
| ·计算迭代循环 | 第23-25页 |
| 第三章 CASTEP软件计算方法 | 第25-30页 |
| ·CASTEP计算软件简介 | 第25-26页 |
| ·CASTEP软件包的使用 | 第26-30页 |
| ·计算任务的参数设置 | 第27-29页 |
| ·计算结果分析方法 | 第29-30页 |
| 第四章 ZnSe、Si性质研究及异质结纳米线的合成 | 第30-38页 |
| ·ZnSe结构和电子特性的研究 | 第30-32页 |
| ·体硅结构和电子特性的研究 | 第32-34页 |
| ·ZnSe/Si纳米线异质结的实验研究 | 第34-38页 |
| ·ZnSe/Si纳米线异质结的实验制备性 | 第34-36页 |
| ·ZnSe/Si纳米异质结构的发光特性 | 第36-38页 |
| 第五章 ZnSe/Si纳米线异质结的研究 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| ·结构稳定性 | 第39-42页 |
| ·电子特性 | 第42-48页 |
| ·表面悬挂键未被饱和的ZnSe/Si纳米线异质结电子结构的研究 | 第42-43页 |
| ·表面悬挂键被饱和的ZnSe/Si纳米线异质结电子结构的研究 | 第43-48页 |
| ·能带结构分析 | 第43-47页 |
| ·态密度分析 | 第47-48页 |
| 第六章 Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响 | 第48-54页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·计算方法和不同交换关联势下得到的InSb晶格常数 | 第48-49页 |
| ·不同掺杂浓度的InSb能带结构及态密度分析 | 第49-53页 |
| ·InSb体系的电子结构 | 第49-51页 |
| ·不同浓度Ga和N共掺杂InSb体系的电子结构 | 第51-53页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| 第七章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 文章项目资助情况 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
