二维镓族半导体的制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题的提出和研究价值 | 第9-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-12页 |
| ·课题的研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第14-17页 |
| ·实验所用试剂及仪器 | 第14-15页 |
| ·试剂 | 第14页 |
| ·仪器设备 | 第14-15页 |
| ·实验方法 | 第15-17页 |
| ·显微镜的分析 | 第15页 |
| ·扫描电镜分析 | 第15页 |
| ·透射电镜分析 | 第15-16页 |
| ·电学测试 | 第16页 |
| ·光电测试 | 第16-17页 |
| 第3章 二维硒化镓半导体的制备及光、电性能研究 | 第17-45页 |
| ·二维硒化镓的制备及表征 | 第17-24页 |
| ·硒化镓的结构和性能 | 第17-18页 |
| ·硒化镓的合成 | 第18页 |
| ·二维功硒化镓制备及表征 | 第18-24页 |
| ·二维硒化镓场效应晶体管的构筑 | 第24-25页 |
| ·二维硒化镓场效应晶体管性能测试 | 第25-31页 |
| ·常温空气中的 FET 性能 | 第26-27页 |
| ·常温真空中的 FET 性能 | 第27-28页 |
| ·低温真空中的 FET 性能 | 第28-30页 |
| ·ODS 单分子薄膜上 FET 性能 | 第30-31页 |
| ·二维硒化镓光电性能的研究 | 第31-38页 |
| ·二维硒化镓光探测器的构造 | 第32-33页 |
| ·二维硒化镓光电性能测试 | 第33-38页 |
| ·二维硒化镓在其它基底上的光电性能 | 第38-40页 |
| ·二维硒化镓光电效应机制分析 | 第40-41页 |
| ·块状硒化镓光电性能测试 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 二维硫化镓半导体的制备及光、电性能研究 | 第45-60页 |
| ·二维硫化镓的制备及表征 | 第45-50页 |
| ·硫化镓的结构 | 第45页 |
| ·硫化镓的合成 | 第45-46页 |
| ·二维功能材料硫化镓制备及表征 | 第46-50页 |
| ·二维硫化镓场效应晶体管的构筑 | 第50-51页 |
| ·基于二维硫化镓场效应晶体管电学性能测试 | 第51页 |
| ·基于二维硫化镓光电性能测试 | 第51-54页 |
| ·二维硫化镓光探测器的构筑 | 第51-52页 |
| ·不同波长下光电响应 | 第52页 |
| ·波长λ=254nm 不同光强下的光电响应 | 第52-54页 |
| ·波长λ=254nm 同一光强下的光电响应时间 | 第54页 |
| ·PET 上二维硫化镓光电性能研究 | 第54-56页 |
| ·块状硫化镓光电性能研究 | 第56-58页 |
| ·不同波长下光电响应 | 第57页 |
| ·紫外光照下不同光照强度的光电流曲线 | 第57-58页 |
| ·紫外光照下同一光照强度的光电流时间曲线 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 二维氧化镓半导体的制备及光、电性能研究 | 第60-68页 |
| ·氧化镓结构及其性能 | 第60-61页 |
| ·二维氧化镓的制备及表征 | 第61-65页 |
| ·制备方法 | 第61页 |
| ·测试表征 | 第61-65页 |
| ·二维氧化镓的光电性能研究 | 第65-67页 |
| ·光电器件的构筑 | 第65-66页 |
| ·光电响应性能测试 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第6章 二维氮化镓半导体的制备及光、电性能研究 | 第68-76页 |
| ·氮化镓结构及其性能 | 第68页 |
| ·二维氮化镓的制备及表征 | 第68-74页 |
| ·二维氮化镓电学性能测试 | 第74-75页 |
| ·场效应晶体管的构筑 | 第74页 |
| ·二维氮化镓场效应晶体管电学性能测试 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及申请专利 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
