| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·电子技术的发展现状及趋势 | 第11-12页 |
| ·过渡族金属硅化物在微电子领域中的应用及其研究现状[3] | 第12-19页 |
| ·论文的研究目的和意义 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-40页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第21-25页 |
| ·扫描隧道显微镜的基本原理 | 第21-22页 |
| ·电子隧穿原理[46] | 第22-23页 |
| ·STM 的扫描模式及扫描隧道谱[45, 46, 51] | 第23-25页 |
| ·扫描隧道显微镜分子束外延系统 | 第25-30页 |
| ·超高真空系统 | 第26-28页 |
| ·STM 扫描反馈及分析系统 | 第28-29页 |
| ·分子束外延 | 第29-30页 |
| ·扫描探针的制备 | 第30-32页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第32-36页 |
| ·X 射线光电子能谱仪的基本原理及结合能的实验测定 | 第32-34页 |
| ·X 射线光电子能谱仪的基本组成 | 第34-36页 |
| ·Si(111)-7×7 重构表面与 Si(110)-2×1 重构表面 | 第36-40页 |
| ·Si(111)-7×7 重构表面的制备 | 第36-38页 |
| ·Si(110)-16×2 重构表面的制备[46] | 第38-40页 |
| 第三章 铁的硅化物纳米结构在 Si（111）衬底上的外延生长和 XPS 研究 | 第40-59页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·结果及讨论 | 第42-57页 |
| ·生长参数对 Fe 的硅化物纳米结构的影响 | 第42-50页 |
| ·Fe 的硅化物纳米结构的原子结构和电学性能 | 第50-55页 |
| ·Fe 的硅化物纳米结构的 XPS 研究 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 锰的硅化物纳米结构的 XPS 研究[44] | 第59-71页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·实验方法 | 第60-61页 |
| ·结果及讨论 | 第61-69页 |
| ·MnSi 薄膜的 STM 及 XPS 分析 | 第61-66页 |
| ·MnSi1.7纳米线的 STM 和 XPS 分析 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 全文总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第83页 |
