氧化铟基透明导电薄膜制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·透明导电薄膜的理论基础 | 第9-12页 |
| ·物质的电学性能 | 第9-10页 |
| ·物质的光学性能 | 第10-12页 |
| ·物质的掺杂理论 | 第12页 |
| ·氧化铟锡的性质 | 第12-14页 |
| ·本课题的研究思路和内容 | 第14-15页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第15-29页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第15-21页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第15-17页 |
| ·磁控溅射法 | 第17-19页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·分子束外延法 | 第20页 |
| ·喷涂热分解法 | 第20-21页 |
| ·真空蒸镀法 | 第21页 |
| ·靶材及薄膜的表征方法 | 第21-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第21-23页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第23页 |
| ·四探针法测电阻率 | 第23-24页 |
| ·霍尔效应测试 | 第24-26页 |
| ·紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 靶材的制备及研究 | 第29-38页 |
| ·靶材制备的工艺步骤 | 第29-31页 |
| ·绕结温度对掺锗氧化铟靶材的影响 | 第31-34页 |
| ·掺杂比例对掺锗氧化铟靶材性能的影响 | 第34-35页 |
| ·ITO：Mo靶材的制备 | 第35-36页 |
| ·INSNNBMO靶材的制备 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 ITO：MO透明导电薄膜的制备 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第38-45页 |
| ·不同衬底温度下薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第39-42页 |
| ·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第43-45页 |
| ·薄膜厚度对薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
| ·不同厚度薄膜的制备 | 第45-46页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构的影响 | 第46-47页 |
| ·薄膜厚度对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·薄膜厚度对薄膜光学性能的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 INSNNBMO透明导电薄膜的研究 | 第51-56页 |
| ·INSNNBMO透明导电薄膜的制备 | 第51页 |
| ·INSNNBMO薄膜的结构分析 | 第51-53页 |
| ·INSNNBMO薄膜的电学性能分析 | 第53-54页 |
| ·INSNNBMO薄膜的光学性能分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 工作总结和展望 | 第56-58页 |
| ·工作总结 | 第56-57页 |
| ·展望未来 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表论文及专利申请目录 | 第64-65页 |
