中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-23页 |
·功能陶瓷材料 | 第8-10页 |
·片式多层陶瓷电容器 | 第10-15页 |
·片式多层陶瓷电容器结构及原理 | 第10-11页 |
·MLCC的发展趋势 | 第11-14页 |
·高介电常数MLCC分类 | 第14-15页 |
·课题研究内容和目的 | 第15-23页 |
·国内外发展概况 | 第15-21页 |
·选题内容 | 第21-23页 |
第二章 BaTiO_3的微观结构与改性机理 | 第23-39页 |
·BaTiO_3微观结构 | 第23-28页 |
·BaTiO_3的晶体结构 | 第23-26页 |
·钛酸钡晶体的铁电畴 | 第26-28页 |
·BaTiO_3陶瓷的介电性能 | 第28-29页 |
·钛酸钡的核-壳结构 | 第29-31页 |
·钛酸钡陶瓷的改性机理 | 第31-39页 |
·细晶理论 | 第32-33页 |
·相变扩散效应 | 第33-35页 |
·铁电陶瓷居里峰的展宽效应 | 第35-36页 |
·居里峰移动效应 | 第36-37页 |
·掺杂离子改性效应 | 第37-39页 |
第三章 实验工艺与测试 | 第39-45页 |
·实验工艺流程 | 第39-43页 |
·样品测试 | 第43-45页 |
第四章 BaTiO_3基陶瓷的掺杂改性机理研究 | 第45-62页 |
·MgO掺杂改性机理 | 第45-47页 |
·稀土元素Ce掺杂改性机理 | 第47-51页 |
·CoCO_3及Nb_2O_5掺杂改性机理 | 第51-54页 |
·CoCO_3掺杂改性机理 | 第51-52页 |
·Nb_2O_5掺杂改性机理 | 第52-53页 |
·不同Nb/Co比掺杂改性机理 | 第53-54页 |
·Bi_2O_3掺杂改性机理 | 第54-59页 |
·MnCO_3对X8R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 | 第59-61页 |
·小结 | 第61-62页 |
第五章 X9R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理研究 | 第62-70页 |
·Pb(TiSn)O_3固溶体 | 第62-65页 |
·Pb(Ti,Sn)O_3对高介X9R钛酸钡陶瓷掺杂改性机理 | 第65-69页 |
·小结 | 第69-70页 |
第六章 工艺条件对BaTiO_3基X9R陶瓷性能的影响及中试研究 | 第70-92页 |
·BaTiO_3预烧曲线对陶瓷系统介电性能的影响 | 第70-76页 |
·BaTiO_3预烧温度对系统介电性能的影响 | 第70-75页 |
·预烧BaTiO_3熔块的升温速率对系统介电性能的影响 | 第75-76页 |
·烧结温度对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 | 第76-80页 |
·烧结温度对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 | 第77-80页 |
·磨球粒径对BaTiO_3基陶瓷介电性能的影响 | 第80-83页 |
·球磨时间及粉体初始粒径对BaTiO_3基陶瓷系统介电性能的影响 | 第83-91页 |
·磨球粒径和球磨时间对粉体粒度的影响 | 第84-85页 |
·粉体粒度对系统介电-温度特性的影响 | 第85-91页 |
·小结 | 第91-92页 |
第七章 BaTiO_3-基X9R陶瓷的无铅化探讨研究 | 第92-107页 |
·BT-BNT机理研究 | 第92-95页 |
·掺杂剂Nb_2O_5对BTBNT体系的影响 | 第95-99页 |
·工艺对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响的研究 | 第99-103页 |
·球磨时间对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响 | 第99-100页 |
·烧结温度对Nb掺杂的BTBNT陶瓷介电性能影响 | 第100-103页 |
·微调Nb_2O_5掺加含量优化BTBNT系陶瓷的介电性能 | 第103-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
第八章 结论 | 第107-111页 |
参考文献 | 第111-117页 |
发表论文和科研情况说明 | 第117-118页 |
致谢 | 第118页 |