| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-30页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·霍尔效应 | 第10-20页 |
| ·正常霍尔效应 | 第10-11页 |
| ·反常霍尔效应 | 第11-12页 |
| ·AHE 理论机制的研究历史 | 第12-20页 |
| ·KL 理论 | 第12-13页 |
| ·斜散射机制 | 第13-15页 |
| ·边跳机制 | 第15-16页 |
| ·Berry 相理论 | 第16-17页 |
| ·平均自由程（MFP）理论 | 第17-18页 |
| ·颗粒膜体系中的 AHE 理论 | 第18-20页 |
| ·铁磁性金属-绝缘体颗粒膜 | 第20-25页 |
| ·铁磁性金属-绝缘体颗粒膜体系的隧穿模型 | 第21页 |
| ·金属-绝缘体颗粒膜的逾渗理论 | 第21-25页 |
| ·经典逾渗理论 | 第22-23页 |
| ·逾渗阈值的确定 | 第23-25页 |
| ·半金属磁性材料 | 第25-28页 |
| ·半金属材料简介 | 第25-27页 |
| ·Heusler 半金属材料 | 第27-28页 |
| ·本论文选题及工作重点 | 第28-30页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第30-37页 |
| ·样品的制备 | 第30-32页 |
| ·射频磁控溅射系统的基本原理 | 第30-31页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第31-32页 |
| ·样品的微观结构表征手段 | 第32-35页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32页 |
| ·场发射透射电子显微镜（TEM） | 第32-33页 |
| ·选区电子衍射（SAED） | 第33-35页 |
| ·表面形貌测量仪 | 第35页 |
| ·薄膜样品的物性测量 | 第35-37页 |
| ·样品电子输运性质的测量 | 第35页 |
| ·样品磁性质的测量 | 第35-37页 |
| 第三章 Co_2FeSi Heusler化合物薄膜的电子输运性质研究 | 第37-54页 |
| ·样品结构的测量与表征 | 第37-39页 |
| ·XRD 结果分析与讨论 | 第37-39页 |
| ·EDX 结果分析与讨论 | 第39页 |
| ·Co_2FeSi化合物薄膜的电子输运性质 | 第39-52页 |
| ·电阻率的测量结果与分析 | 第39-42页 |
| ·霍尔效应的测量结果与分析 | 第42-45页 |
| ·正常霍尔系数的结果与分析 | 第45页 |
| ·反常霍尔系数的结果与分析 | 第45-47页 |
| ·低磁场霍尔灵敏度 | 第47-49页 |
| ·Co_2FeSi化合物薄膜的磁性质测量结果 | 第49页 |
| ·反常霍尔电阻率同纵向电阻率之间的标度关系 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Co_2FeSi-Al_2O_3颗粒薄膜的电子输运性质研究 | 第54-76页 |
| ·金属体积分数的确定 | 第54-55页 |
| ·样品结构的测量与表征 | 第55-57页 |
| ·XRD 结构分析与讨论 | 第55-56页 |
| ·TEM 结果分析与讨论 | 第56-57页 |
| ·SAED 分析结果与讨论 | 第57页 |
| ·Co_2FeSi-Al_2O_3颗粒膜的电子输运性质 | 第57-74页 |
| ·电阻率的测量结果与分析 | 第58-60页 |
| ·逾渗阈值xc的确定 | 第60-62页 |
| ·霍尔效应的测量结果与分析 | 第62-65页 |
| ·正常霍尔系数的结果与分析 | 第65-67页 |
| ·反常霍尔系数的结果与分析 | 第67-68页 |
| ·低磁场霍尔灵敏度 | 第68-70页 |
| ·磁性质测量结果与分析 | 第70-72页 |
| ·反常霍尔电阻率同纵向电阻率之间的标度关系 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-88页 |
| 硕士在读期间已发表和已完成的论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
