应用于3G的射频CMOS功率放大器的设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·研究背景和意义 | 第7-8页 |
| ·第三代移动通信网及射频收发系统 | 第8-9页 |
| ·PA与 LNA的研究现状 | 第9-11页 |
| ·论文的主要内容 | 第11-12页 |
| 2 功率放大器的分类及主要技术指标 | 第12-22页 |
| ·功率放大器的主要技术指标 | 第12-14页 |
| ·功率特性 | 第12-13页 |
| ·交调特性 | 第13-14页 |
| ·功率放大器的分类 | 第14-22页 |
| ·A类功率放大器 | 第15-16页 |
| ·AB类、B类和 C类功率放大器 | 第16-20页 |
| ·D类、E类和 F类功率放大器 | 第20-22页 |
| 3 功率放大器设计理论 | 第22-32页 |
| ·电感的实现 | 第22-26页 |
| ·标准 CMOS工艺实现的硅基集成螺旋电感 | 第22-25页 |
| ·键合线电感 | 第25-26页 |
| ·射频接口的阻抗匹配 | 第26-27页 |
| ·散射参数 | 第27-28页 |
| ·CMOS工艺的限制 | 第28-32页 |
| ·片上集成电感 | 第28-29页 |
| ·击穿电压 | 第29页 |
| ·输出级器件尺寸 | 第29-30页 |
| ·衬底问题 | 第30-32页 |
| 4 功率放大器的设计 | 第32-47页 |
| ·电路设计 | 第32-40页 |
| ·电路结构的选择 | 第32-33页 |
| ·输出匹配网络的设计 | 第33-34页 |
| ·输出级 MOS管的选择 | 第34-35页 |
| ·扼流圈电感 BFL的选择 | 第35页 |
| ·输入匹配网络的设计 | 第35-36页 |
| ·级间匹配网络的设计 | 第36-37页 |
| ·片上电感的选取 | 第37-38页 |
| ·片上固定电容的选取 | 第38-39页 |
| ·驱动级 MOS管的选择 | 第39页 |
| ·总的电路结构 | 第39-40页 |
| ·仿真结果 | 第40-44页 |
| ·输出功率和 PAE | 第40-42页 |
| ·增益 | 第42-43页 |
| ·线性度 | 第43-44页 |
| ·版图设计 | 第44-47页 |
| ·版图设计的技巧 | 第44页 |
| ·功率放大器的版图 | 第44-47页 |
| 5 低噪声放大器的设计 | 第47-60页 |
| ·电路结构的选择 | 第47-49页 |
| ·正反馈在 LNA中的应用 | 第49-51页 |
| ·噪声理论 | 第51-53页 |
| ·噪声 | 第51-52页 |
| ·MOSFET管的噪声特性 | 第52-53页 |
| ·低噪声放大器的性能分析和优化 | 第53-60页 |
| ·LNA的整体电路结构 | 第53-54页 |
| ·噪声系数 | 第54-55页 |
| ·增益 | 第55-56页 |
| ·反向隔离 | 第56-57页 |
| ·输入输出匹配 | 第57-58页 |
| ·线性度 | 第58-60页 |
| 6 结论与展望 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 发表论文 | 第65页 |
