| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·光催化概述 | 第10页 |
| ·半导体光催化反应机理 | 第10-12页 |
| ·半导体的光催化活性影响因素 | 第12-14页 |
| ·光催化剂晶型及结构的影响 | 第12页 |
| ·光催化剂晶粒尺寸的影响 | 第12-13页 |
| ·催化剂投加量的影响 | 第13页 |
| ·反应温度的影响 | 第13页 |
| ·溶液pH值的影响 | 第13页 |
| ·污染物初始浓度与吸附性能的影响 | 第13-14页 |
| ·光源和光照强度影响 | 第14页 |
| ·提高半导体光催化反应活性的途径 | 第14-17页 |
| ·贵金属负载 | 第14-15页 |
| ·复合半导体 | 第15-16页 |
| ·表面光敏化 | 第16页 |
| ·离子掺杂 | 第16-17页 |
| ·光催化剂的固定 | 第17页 |
| ·新型光催化材料的研究现状 | 第17-18页 |
| ·新型光催化材料的科学基础 | 第17页 |
| ·新型可见光光催化材料的发展 | 第17-18页 |
| ·选题意义与研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 实验部分 | 第19-25页 |
| ·试剂与仪器 | 第19-20页 |
| ·主要试剂 | 第19-20页 |
| ·仪器设备 | 第20页 |
| ·光催化剂的制备 | 第20-21页 |
| ·ZnO-ZnS/C复合光催化剂的制备 | 第20页 |
| ·ZnO、ZnO/C光催化剂的制备 | 第20-21页 |
| ·Sn-SnO_2/C复合光催化剂的制备 | 第21页 |
| ·SnO_2光催化剂的制备 | 第21页 |
| ·样品表征 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射谱分析(XRD) | 第21页 |
| ·表面形貌表征(TEM) | 第21-22页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第22页 |
| ·染料溶液吸光度测量 | 第22页 |
| ·光催化实验 | 第22-25页 |
| ·模拟污染物活性艳蓝的分子结构 | 第22-23页 |
| ·活性艳蓝K-3R特征吸收波长测定 | 第23页 |
| ·活性艳蓝K-3R溶液工作曲线测定 | 第23页 |
| ·吸附平衡测定 | 第23-24页 |
| ·产品的光催化活性测试 | 第24-25页 |
| 第三章 ZnO-ZnS/C光催化剂的结构、性质及光催化性能研究 | 第25-38页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·复合光催化剂的表征 | 第25-32页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第27-28页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第28-31页 |
| ·ZnO-ZnS/C光催化剂形成机制 | 第31-32页 |
| ·制备参数对ZnO-ZnS/C复合光催化剂的活性影响 | 第32-34页 |
| ·ZnO-ZnS/C复合光催化剂不同反应条件下的光催化活性 | 第34-36页 |
| ·光催化剂用量对活性艳蓝光催化降解的影响 | 第34-35页 |
| ·活性艳蓝溶液初始浓度对光催化降解的影响 | 第35页 |
| ·活性艳蓝溶液初始pH对光催化降解的影响 | 第35-36页 |
| ·光催化剂的稳定性研究 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 Sn-SnO_2/C光催化剂的结构、性质及其光催化性能研究 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·复合光催化剂的表征 | 第38-43页 |
| ·X-射线粉末衍射(XRD) | 第38-39页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第39-42页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第42页 |
| ·形成机制假设模型 | 第42-43页 |
| ·制备参数对Sn-SnO_2/C复合光催化剂的活性影响 | 第43-45页 |
| ·Sn-SnO_2/C复合光催化剂不同反应条件下的的光催化活性 | 第45-47页 |
| ·光催化剂用量对活性艳蓝光催化降解的影响 | 第45页 |
| ·活性艳蓝溶液初始浓度对光催化降解的影响 | 第45-46页 |
| ·活性艳蓝溶液初始pH对光催化降解的影响 | 第46-47页 |
| ·光催化剂的稳定性研究 | 第47页 |
| ·本章小节 | 第47-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录 | 第56页 |
