| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-14页 |
| ·J–C 模型的哈密顿量表达式 | 第9-10页 |
| ·T-C 模型 | 第10-14页 |
| ·量子纠缠 | 第14-17页 |
| ·两量子比特系统纠缠度 | 第14-15页 |
| ·量子纠缠研究历史及现状 | 第15-17页 |
| ·反聚束效应 | 第17-19页 |
| 第2章 T-C 模型中的纠缠度的研究 | 第19-31页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·相互作用的 Tavis-Cummings 模型中初态与纠缠度的关系的研究 | 第19-24页 |
| ·理论模型 | 第19-21页 |
| ·数值计算和分析 | 第21-24页 |
| ·结论 | 第24页 |
| ·耗散腔场中双光子 T-C 模型量子纠缠的研究 | 第24-30页 |
| ·模型和最大纠缠度的制备 | 第25-28页 |
| ·原子和腔场的消相干作用 | 第28-30页 |
| ·结论 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 T-C 模型中反聚束效应的研究 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·HBT 实验及二阶相干度理论 | 第31-35页 |
| ·腔场频率随时间变化的 T-C 模型 | 第35-36页 |
| ·数值计算结果与分析 | 第36-38页 |
| ·结论 | 第38-40页 |
| 第4章 总结与展望 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第45页 |