| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| ·光电集成的应用价值与意义 | 第12-13页 |
| ·单片集成光接收器件的研究与发展现状 | 第13-15页 |
| ·InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端 | 第15页 |
| ·具有波长处理功能的单片集成解复用光接收器件 | 第15-16页 |
| ·论文的结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第2章 HBT器件概述 | 第20-36页 |
| ·HBT器件的发展概况 | 第20-21页 |
| ·HBT器件的工作原理及优越性 | 第21-24页 |
| ·BJT的工作原理 | 第21页 |
| ·HBT的工作原理 | 第21-22页 |
| ·HBT的电流组成 | 第22-24页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第24页 |
| ·HBT器件的材料体系 | 第24-26页 |
| ·GeSi材料系 | 第25页 |
| ·GaAs材料系 | 第25页 |
| ·InP材料系 | 第25-26页 |
| ·HBT器件的生长技术 | 第26-27页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第26页 |
| ·MBE生长技术 | 第26-27页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第27-28页 |
| ·截止频率和最高振荡频率 | 第27页 |
| ·电流增益 | 第27页 |
| ·开启电压 | 第27-28页 |
| ·击穿电压 | 第28页 |
| ·影响HBT器件性能的重要效应 | 第28-32页 |
| ·Kirk效应 | 第28-31页 |
| ·发射极拥挤效应 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第3章 HBT器件的理论模型及优化设计 | 第36-57页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第36-38页 |
| ·HBT器件的理论模型与参量计算 | 第38-46页 |
| ·HBT器件的理论模型 | 第38-39页 |
| ·HBT器件的参量计算 | 第39-46页 |
| ·HBT器件的优化设计 | 第46-55页 |
| ·主要参量对器件性能的影响 | 第46-53页 |
| ·HBT器件的优化设计 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第4章 InP基HBT的制备与测试 | 第57-97页 |
| ·HBT器件的版图及外延结构设计 | 第57-61页 |
| ·器件版图设计 | 第57-59页 |
| ·外延结构设计 | 第59-61页 |
| ·InP基HBT器件的制备 | 第61-66页 |
| ·器件制备工艺研究 | 第66-68页 |
| ·欧姆接触电阻测量 | 第66-67页 |
| ·金属电极的剥离 | 第67-68页 |
| ·聚酰亚胺平坦化 | 第68页 |
| ·InP基HBT器件的测试 | 第68-76页 |
| ·MBE生长的HBT的测试结果 | 第68-73页 |
| ·MOCVD生长的HBT的测试结果 | 第73-76页 |
| ·两种设备生长的HBT的性能比较 | 第76页 |
| ·探测器的制备 | 第76-77页 |
| ·NiCr电阻的制备 | 第77-78页 |
| ·器件参数提取 | 第78-94页 |
| ·SPICE参数列表 | 第79-81页 |
| ·Gummel-Poon大信号模型的建立 | 第81-82页 |
| ·HBT的SPICE参数提取 | 第82-90页 |
| ·HBT的SPICE模型仿真结果 | 第90-92页 |
| ·PIN光探测器的参数提取 | 第92-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第5章 单片集成光接收机前端的分析与研究 | 第97-121页 |
| ·单片集成光接收机前端的设计要求 | 第97-98页 |
| ·HBT用于放大电路的三种组态 | 第98-99页 |
| ·单片集成光接收机前端的电路设计 | 第99-107页 |
| ·前端电路的基本反馈形式 | 第99-100页 |
| ·单级共射放大电路 | 第100-101页 |
| ·单级共射加输出缓冲放大电路 | 第101-103页 |
| ·跨阻反馈单级共射放大电路 | 第103-104页 |
| ·跨阻反馈两级共射放大电路 | 第104-105页 |
| ·共基共射负反馈两级放大电路 | 第105-107页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光接收机前端的制备与测试 | 第107-110页 |
| ·外延片结构 | 第107页 |
| ·集成电路版图 | 第107-108页 |
| ·器件的制备与测试 | 第108-110页 |
| ·RCE-PD+HBT单片集成光接收机前端 | 第110-112页 |
| ·异质外延RCE-PD+HBT单片集成光接收机前端 | 第112-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-121页 |
| 第6章 具有波长处理功能的单片集成解复用接收器件 | 第121-148页 |
| ·波分复用(WDM)技术 | 第121-124页 |
| ·波分复用原理 | 第121-122页 |
| ·解复用接收技术 | 第122-124页 |
| ·可重构光分插复用(ROADM)技术 | 第124-126页 |
| ·ROADM的功能模块 | 第124页 |
| ·ROADM的实现技术 | 第124-126页 |
| ·具有波长处理功能的单片集成解复用接收器件 | 第126-135页 |
| ·器件结构和基本原理 | 第127-129页 |
| ·集成器件响应光谱特性的分析 | 第129-131页 |
| ·集成器件初步的实验研究与实现方法 | 第131-135页 |
| ·特殊图案透明欧姆接触微结构 | 第135-145页 |
| ·器件响应速率的分析模型 | 第136-138页 |
| ·欧姆接触微结构工作原理 | 第138页 |
| ·有限差分计算 | 第138-141页 |
| ·欧姆接触微结构仿真分析 | 第141-145页 |
| ·小结 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-148页 |
| 第7章 总结 | 第148-150页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第150-151页 |
| 附录2 散射参数与其它参数之间的转化 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153-155页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第155-156页 |
