Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池界面特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 引言 | 第6-13页 |
| 第一节 太阳电池的研究现状 | 第6-11页 |
| 第二节 选题的理论意义和实际意义 | 第11-12页 |
| 第三节 所要解决的主要问题 | 第12-13页 |
| 第一章 Ⅲ-Ⅴ族太阳电池结构设计 | 第13-38页 |
| 第一节 太阳光谱与大气质量 | 第13-15页 |
| 第二节 Ⅲ-Ⅴ族材料的主要性质 | 第15-17页 |
| 第三节 太阳电池中的能量损失 | 第17-27页 |
| 第四节 太阳电池结构设计方法 | 第27-32页 |
| 第五节 多结太阳电池结构设计 | 第32-37页 |
| 第六节 小结 | 第37-38页 |
| 第二章 异质界面的整流问题研究 | 第38-47页 |
| 第一节 研究内容 | 第38-39页 |
| 第二节 异质结的伏安特性 | 第39页 |
| 第三节 GaInP_2电池中的整流问题 | 第39-43页 |
| 第四节 GaAs电池中的整流问题 | 第43-46页 |
| 第五节 小结 | 第46-47页 |
| 第三章 异质界面的干涉问题研究 | 第47-57页 |
| 第一节 研究内容 | 第47页 |
| 第二节 设计方法 | 第47-48页 |
| 第三节 材料折射率 | 第48-49页 |
| 第四节 分析计算 | 第49-54页 |
| 第五节 实验研究 | 第54-56页 |
| 第六节 小结 | 第56-57页 |
| 第四章 研究结果 | 第57-61页 |
| 第一节 制造工艺 | 第57页 |
| 第二节 样品和测试条件 | 第57-58页 |
| 第三节 电性能测试 | 第58-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
