| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题研究目的及意义 | 第10-11页 |
| ·铌酸锂晶体简介 | 第11-12页 |
| ·铌酸锂晶体结构及其缺陷模型 | 第12-15页 |
| ·铌酸锂晶体结构 | 第12-13页 |
| ·铌酸锂晶体的本征缺陷 | 第13-14页 |
| ·铌酸锂的非本征缺陷 | 第14-15页 |
| ·Er:LiNbO_3 研究意义以及存在问题 | 第15-17页 |
| 第2章 MG:Er:LiNbO_3晶体的生长及试样制备 | 第17-26页 |
| ·掺杂元素的选择 | 第17页 |
| ·晶体生长 | 第17-23页 |
| ·原料配比 | 第17-18页 |
| ·原料的预处理 | 第18-20页 |
| ·晶体生长设备装置 | 第20页 |
| ·晶体生长工艺参数的选择 | 第20-23页 |
| ·晶体生长过程 | 第23页 |
| ·晶体的退火和极化处理 | 第23-25页 |
| ·晶体加工 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 MG:Er:LiNbO_3晶体红外光谱及紫外光谱研究 | 第26-34页 |
| ·掺杂离子阈值浓度 | 第26页 |
| ·阈值浓度定义 | 第26页 |
| ·阈值浓度确定 | 第26页 |
| ·MG:Er:LiNbO_3 红外光谱测试 | 第26-29页 |
| ·红外光谱测试结果 | 第27-28页 |
| ·OH-吸收峰移动机理研究 | 第28-29页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第29-33页 |
| ·紫外-可见吸收光谱测试 | 第30-31页 |
| ·掺杂离子对晶体基础吸收边的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 MG:Er:LiNbO_3晶体的抗光折变性能的研究 | 第34-39页 |
| ·光折变效应 | 第34页 |
| ·抗光损伤性能实验 | 第34-36页 |
| ·实验结果 | 第36页 |
| ·透射光斑采集 | 第36-38页 |
| ·抗光损伤机理研究 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 MG:Er:LiNbO_3晶体荧光特性 | 第39-49页 |
| ·上转换机理的研究 | 第39-41页 |
| ·测试装置 | 第41页 |
| ·实验结果 | 第41-42页 |
| ·实验结果分析 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
