| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·纳米材料简介 | 第12-14页 |
| ·纳米科技的兴起 | 第12页 |
| ·纳米材料的定义及分类 | 第12页 |
| ·纳米材料的特性 | 第12-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·小尺寸效应 | 第13页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第13页 |
| ·表面效应 | 第13页 |
| ·库伦阻塞效应 | 第13-14页 |
| ·SiC半导体材料简介 | 第14页 |
| ·一维纳米材料的生长机理 | 第14-17页 |
| ·气-液-固(V-L-S) | 第14-16页 |
| ·溶液-液相-固相法(S-L-S) | 第16页 |
| ·气-固(V-S) | 第16-17页 |
| ·SiC一维纳米材料的制备方法 | 第17-21页 |
| ·化学气相沉积法(CVD法) | 第17页 |
| ·模板法 | 第17-18页 |
| ·纳米材料模板法 | 第17-18页 |
| ·多孔氧化铝模板法(AAO) | 第18页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第18页 |
| ·碳热还原法 | 第18页 |
| ·电弧放电法 | 第18-19页 |
| ·溶剂热法 | 第19页 |
| ·热蒸发法 | 第19-20页 |
| ·微波法 | 第20页 |
| ·有机前驱体热解法 | 第20页 |
| ·激光烧蚀法 | 第20-21页 |
| ·其他方法 | 第21页 |
| ·小结 | 第21页 |
| ·选题背景与研究内容 | 第21-24页 |
| ·选题背景 | 第21-22页 |
| ·主要内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-31页 |
| 第二章 制备方法和测试仪器 | 第31-37页 |
| ·制备方法 | 第31-33页 |
| ·实验原料和设备 | 第31-32页 |
| ·实验方法 | 第32-33页 |
| ·测试方法 | 第33-37页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第33页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第34页 |
| ·拉曼光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第34-37页 |
| 第三章 乙醇热解化学气相沉积法制备SiC纳米线 | 第37-49页 |
| ·前言 | 第37页 |
| ·CVD法制备SiC纳米线及其性质表征 | 第37-40页 |
| ·实验方案 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-40页 |
| ·SiC纳米线的SEM观察结果 | 第39-40页 |
| ·SiC纳米线的XRD分析结果 | 第40页 |
| ·SiC纳米线的生长机制 | 第40-41页 |
| ·温度对SiC纳米线生长的影响 | 第41-42页 |
| ·催化剂对SiC纳米线生长的影响 | 第42-43页 |
| ·保温时间对SiC纳米线生长的影响 | 第43-44页 |
| ·其他试剂对SiC纳米线的影响 | 第44页 |
| ·SiC纳米线性能的研究 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 化学气相沉积法制备SiC基一维纳米异质结 | 第49-69页 |
| ·前言 | 第49-50页 |
| ·SiC-SiO_2异质结的制备、表征及性能 | 第50-54页 |
| ·实验制备过程 | 第50页 |
| ·实验结果与表征 | 第50-53页 |
| ·SiC-SiO_2异质结的SEM观察结果 | 第50页 |
| ·SiC-SiO_2异质结的XRD分析结果 | 第50-52页 |
| ·SiC-SiO_2异质结的TEM观察结果 | 第52-53页 |
| ·SiC-SiO_2纳米网状结构的生长机制 | 第53-54页 |
| ·SiC-CNT/C纳米异质结阵列的制备 | 第54-59页 |
| ·实验制备过程 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-58页 |
| ·SiC-CNT/C纳米异质结阵列的SEM观察结果 | 第54-56页 |
| ·SiC-CNT/C纳米异质结阵列的XRD分析结果 | 第56页 |
| ·SiC-CNT/C纳米异质结阵列的TEM观察结果 | 第56-57页 |
| ·SiC-CNT/C纳米异质结阵列的拉曼光谱分析 | 第57-58页 |
| ·SiC-CNT/C异质结阵列的生长机制 | 第58-59页 |
| ·C纤维阵列的制备、表征及性能 | 第59-63页 |
| ·实验制备过程 | 第59页 |
| ·实验结果与表征 | 第59-62页 |
| ·C纤维的SEM观察结果 | 第59-60页 |
| ·C纤维的XRD分析结果 | 第60页 |
| ·C纤维的TEM观察结果 | 第60-61页 |
| ·C纤维的拉曼光谱分析结果 | 第61页 |
| ·C纤维的XPS分析结果 | 第61-62页 |
| ·C纤维阵列的生长机理 | 第62-63页 |
| ·氩气流速对SiC纳米异质结生长的影响 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第五章 SiC/C纳米电缆的合成及性能性能研究 | 第69-81页 |
| ·前言 | 第69-70页 |
| ·实验制备过程 | 第70-71页 |
| ·实验结果与讨论 | 第71-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 第六章 结论与展望 | 第81-83页 |
| ·结论 | 第81-82页 |
| ·展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 硕士期间发表论文 | 第85页 |
