| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·电致变色材料 | 第15-17页 |
| ·无机电致变色材料 | 第16页 |
| ·有机电致变色材料 | 第16-17页 |
| ·电致变色器件 | 第17-21页 |
| ·电致变色器件结构 | 第17-19页 |
| ·电致变色器件的应用 | 第19-21页 |
| ·WO_3薄膜 | 第21-25页 |
| ·WO_3的晶体结构 | 第21-23页 |
| ·WO_3的基本物理化学性质 | 第23页 |
| ·WO_3薄膜的研究与应用 | 第23-25页 |
| ·WO_3薄膜的制备 | 第25-32页 |
| ·真空蒸发法 | 第25-26页 |
| ·溅射法 | 第26页 |
| ·化学气相沉积法 | 第26-27页 |
| ·电化学沉积法 | 第27页 |
| ·阳极氧化法 | 第27页 |
| ·离子镀技术 | 第27-28页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第28-32页 |
| ·论文研究目的与方法 | 第32-34页 |
| 第2章 实验部分 | 第34-43页 |
| ·实验仪器和设备 | 第34页 |
| ·实验试剂 | 第34-35页 |
| ·实验试剂 | 第34-35页 |
| ·基片的清洗与处理 | 第35页 |
| ·表征方法 | 第35-43页 |
| ·X射线衍射技术(X-ray Diffraction) | 第35-36页 |
| ·热重—差示扫描量热 | 第36页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第36-37页 |
| ·氮气吸附—脱附分析 | 第37-38页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第38页 |
| ·原子力显微镜 | 第38-39页 |
| ·透射电子显微镜 | 第39页 |
| ·光电子能谱技术 | 第39-40页 |
| ·紫外—可见光谱 | 第40-41页 |
| ·常规电化学测量技术 | 第41-43页 |
| 第3章 偏钨酸铵法制备WO_3薄膜及其结构表征 | 第43-61页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·薄膜的制备及表征 | 第44-45页 |
| ·前驱体液的配制 | 第44页 |
| ·WO_3薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·WO_3薄膜的结构表征 | 第45页 |
| ·结果与分析 | 第45-60页 |
| ·TG-DSC测试与分析 | 第45-47页 |
| ·FY-IR测试与分析 | 第47-50页 |
| ·N_2吸附—脱附测试与分析 | 第50-52页 |
| ·XRD测试与分析 | 第52-55页 |
| ·AFM测试与分析 | 第55-57页 |
| ·FSEM测试与分析 | 第57-59页 |
| ·TEM测试与分析 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第4章 偏钨酸铵法制备WO_3薄膜的电致变色性能 | 第61-81页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·实验部分 | 第61-62页 |
| ·样品制备 | 第61页 |
| ·实验方法 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-79页 |
| ·薄膜的循环伏安特性 | 第62-67页 |
| ·薄膜的响应时间特性 | 第67-69页 |
| ·薄膜的记忆存储能力 | 第69-70页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第70-74页 |
| ·薄膜的光学禁带宽度 | 第74-77页 |
| ·薄膜的半导体性能 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 介孔氧化钨薄膜的制备及其结构表征 | 第81-106页 |
| ·引言 | 第81-85页 |
| ·薄膜的制备及表征 | 第85-87页 |
| ·前驱体液的配制 | 第85-86页 |
| ·WO_3薄膜的制备 | 第86页 |
| ·WO_3薄膜的结构表征 | 第86-87页 |
| ·结果与分析 | 第87-104页 |
| ·TG-DSC测试与分析 | 第87-88页 |
| ·FT-IR测试与分析 | 第88-91页 |
| ·N_2吸附—脱附测试与分析 | 第91-94页 |
| ·XRD测试与分析 | 第94-96页 |
| ·AFM测试与分析 | 第96-98页 |
| ·6 FSEM测试与分析 | 第98-102页 |
| ·TEM测试与分析 | 第102-104页 |
| ·小结 | 第104-106页 |
| 第6章 介孔氧化钨薄膜的电致变色性能 | 第106-125页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·实验部分 | 第106-107页 |
| ·样品制备 | 第106页 |
| ·实验方法 | 第106-107页 |
| ·结果与讨论 | 第107-123页 |
| ·薄膜的循环伏安特性 | 第107-111页 |
| ·薄膜的响应时间特性 | 第111-113页 |
| ·薄膜的记忆存储能力 | 第113-114页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第114-119页 |
| ·薄膜的光学禁带宽度 | 第119-121页 |
| ·薄膜的半导体性能 | 第121-123页 |
| ·本章小结 | 第123-125页 |
| 第7章 氧化钨薄膜的电致变色原理 | 第125-134页 |
| ·引言 | 第125页 |
| ·薄膜的变色机理模型 | 第125-130页 |
| ·色心模型 | 第125-127页 |
| ·双注入/抽出模型 | 第127-128页 |
| ·小极化子吸收模型 | 第128-129页 |
| ·能带理论探讨 | 第129-130页 |
| ·WO_3薄膜的XPS研究 | 第130-133页 |
| ·实验部分 | 第130页 |
| ·结果与讨论 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-134页 |
| 第8章 结论与展望 | 第134-136页 |
| ·结论 | 第134-135页 |
| ·展望 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-146页 |
| 博士期间论文发表情况 | 第146-147页 |
| 致谢 | 第147页 |