| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-16页 |
| ·半导体器件钝化薄膜的发展状况 | 第7-8页 |
| ·半导体器件表面钝化膜的分类及特点 | 第8-11页 |
| ·瞬变电压抑制二极管（TVS） | 第11-15页 |
| ·问题的提出及论文研究内容 | 第15-16页 |
| 2 TVS 器件氮化硅钝化层的制备工艺 | 第16-33页 |
| ·制备工艺概述 | 第16页 |
| ·工艺原理 | 第16-25页 |
| ·氮化硅LPCVD 淀积工艺的优化 | 第25-28页 |
| ·测试原理及方法 | 第28-33页 |
| 3 氮化硅钝化层性能分析 | 第33-43页 |
| ·氮化硅钝化层分析 | 第33-39页 |
| ·不同钝化层的可靠性分析 | 第39页 |
| ·玻璃钝化对可靠性的影响 | 第39-41页 |
| ·双层介质膜在二极管中的应用 | 第41-43页 |
| 4 划片方式对器件可靠性的影响 | 第43-54页 |
| ·失效分析 | 第43-44页 |
| ·划片切割对可靠性影响的研究 | 第44-49页 |
| ·背切深度和择向对高温漏流的影响 | 第49-54页 |
| 5 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |