| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| ·晶体硅太阳电池 | 第11-14页 |
| ·单晶硅太阳电池 | 第12-13页 |
| ·多晶硅太阳电池 | 第13-14页 |
| ·晶体硅太阳电池的发展 | 第14页 |
| ·非晶硅太阳电池 | 第14-16页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池 | 第16-20页 |
| ·砷化镓基系太阳电池 | 第16-18页 |
| ·InP基系太阳电池 | 第18页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池的新概念 | 第18-20页 |
| ·Ⅱ-Ⅳ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族多晶薄膜太阳电池 | 第20-26页 |
| ·铜铟硒薄膜太阳电池 | 第20-23页 |
| ·碲化镉薄膜太阳电池 | 第23-26页 |
| ·CdTe太阳电池窗口层CdS多晶薄膜的制备技术及特点 | 第26-29页 |
| ·化学池沉积法 | 第27页 |
| ·近空间升华法 | 第27-28页 |
| ·射频溅射沉积法 | 第28页 |
| ·高真空热蒸发法 | 第28-29页 |
| ·CdTe太阳电池的背接触 | 第29-32页 |
| ·CdTe薄膜与背电极的欧姆接触问题 | 第29-30页 |
| ·背接触材料 | 第30-32页 |
| ·论文研究目的和内容 | 第32-34页 |
| ·研究背景 | 第32页 |
| ·选题思路 | 第32-33页 |
| ·论文的研究内容及方案 | 第33-34页 |
| 第二章 硫化镉多晶薄膜的制备及表征 | 第34-56页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·CdS多晶薄膜的近空间升华制备及后处理 | 第34-41页 |
| ·近空间升华设备简介 | 第34-35页 |
| ·近空间升华原理 | 第35-36页 |
| ·CdS升华源的准备 | 第36-37页 |
| ·CdS多晶薄膜的制备 | 第37-40页 |
| ·升温曲线 | 第37-38页 |
| ·沉积条件与沉积速率的关系 | 第38-40页 |
| ·CdS多晶薄膜的后处理 | 第40-41页 |
| ·CdS多晶薄膜的性质表征 | 第41-54页 |
| ·CdS多晶薄膜的结构 | 第41-43页 |
| ·成分分析 | 第43-47页 |
| ·表面形貌 | 第47-50页 |
| ·光学性质 | 第50-53页 |
| ·电学性质 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第三章 碲铜薄膜的制备及表征 | 第56-71页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·Cu_xTe薄膜的制备及后处理 | 第56-60页 |
| ·Cu_xTe薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·膜厚及沉积速率监控原理 | 第57-59页 |
| ·Cu_xTe薄膜的后处理 | 第59-60页 |
| ·Cu_xTe薄膜的性质表征 | 第60-69页 |
| ·Cu_xTe结构表征 | 第60-65页 |
| ·成分分析 | 第65-67页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第67-68页 |
| ·光学性质 | 第68-69页 |
| ·电学性质 | 第69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第四章 干法制备的窗口层及背接触层在CdTe薄膜太阳电池中的应用 | 第71-90页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第71-73页 |
| ·电池制备 | 第73-75页 |
| ·窗口层CdS多晶薄膜的制备及后处理 | 第74页 |
| ·吸收层CdTe薄膜的制备及后处理 | 第74-75页 |
| ·背接触层的制备及后处理 | 第75页 |
| ·背电极的制备 | 第75页 |
| ·CdS多晶薄膜对器件性能的影响 | 第75-81页 |
| ·暗态I-V特性及光谱响应 | 第76-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-81页 |
| ·Cu_xTe薄膜对器件性能的影响 | 第81-89页 |
| ·有无Cu_xTe背接触的CdTe电池的I-V特性 | 第81-86页 |
| ·不同Cu_xTe背接触层对电池性能的影响 | 第86-88页 |
| ·典型的Cu_xTe背接触太阳电池性能 | 第88-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 第五章 CdTe太阳电池的器件模拟 | 第90-106页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·太阳电池基本方程及求解 | 第90-98页 |
| ·太阳电池基本方程 | 第90-92页 |
| ·电子和空穴浓度 | 第92页 |
| ·杂质能级和杂质带 | 第92-95页 |
| ·载流子产生与复合 | 第95-97页 |
| ·太阳电池基本方程求解 | 第97-98页 |
| ·CdTe薄膜太阳电池窗口层的器件模拟 | 第98-104页 |
| ·CdS多晶薄膜的厚度、载流子浓度及复合中心密度 | 第99-101页 |
| ·背接触层Cu_xTe的性质影响 | 第101-104页 |
| ·小结 | 第104-106页 |
| 第六章 总结 | 第106-110页 |
| 参考文献 | 第110-117页 |
| 发表的论文 | 第117-118页 |
| 参与的科研项目 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
