| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·钛酸锶钡的基本结构 | 第9页 |
| ·钛酸锶钡的基本性质与应用 | 第9-11页 |
| ·钛酸锶钡薄膜电容器的研究 | 第11页 |
| ·钛酸锶钡薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·本文选题的依据及研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 2 硅基钛酸锶钡薄膜的溶胶凝胶法制备研究 | 第14-23页 |
| ·引言 | 第14-16页 |
| ·薄膜的制备 | 第16-17页 |
| ·晶体结构与X 射线光电子能谱分析 | 第17页 |
| ·结果与讨论 | 第17-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 3 钛酸锶钡薄膜的掺杂与介电性能研究 | 第23-33页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·I-V 特性 | 第24-29页 |
| ·介电性质 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 4 钛酸锶基压敏电阻器陶瓷的制备及特性研究 | 第33-44页 |
| ·引言 | 第33-36页 |
| ·实验 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 5 铁电薄膜界面电位降及内建电压对漏电及退极化的影响 | 第44-56页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·多层结构铁电存储器 | 第44-47页 |
| ·本文选题的依据及研究的主要内容 | 第47-48页 |
| ·多层铁电薄膜结构设计 | 第48-49页 |
| ·多层结构铁电薄膜的界面分析 | 第49-50页 |
| ·电容保持性 | 第50-51页 |
| ·存储窗口 | 第51-53页 |
| ·退极化 | 第53-54页 |
| ·失效 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 6 多层铁电薄膜的频率特性研究 | 第56-65页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·同一频率工作下不同结构的C-V 特性及其界面电位降的研究 | 第56-59页 |
| ·同一结构不同频率工作界面电位降的研究 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 7 I-V 回线与P-V 回线的关系、存储器操作理论及波形图 | 第65-75页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·有I-V 回线的Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器 | 第65-68页 |
| ·I-V 特性曲线的转变电压与P-E 回线的矫顽场的关系 | 第68-72页 |
| ·存储器波形 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 8 全文总结 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-108页 |
| 附录1 攻读学位期间发表的论文目录 | 第108-109页 |
