| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 硼酸盐晶须在复合材料中的应用 | 第7-26页 |
| 第一节 前言 | 第8页 |
| 第二节 晶须在复合材料中的应用 | 第8-14页 |
| 1 晶须的种类 | 第8-10页 |
| 2 硼酸铝晶须 | 第10-11页 |
| 3 硼酸镁晶须 | 第11-13页 |
| 4 硼酸盐晶须在复合材料中的应用概述 | 第13-14页 |
| 第三节 偶联剂在复合材料中的应用 | 第14-22页 |
| 1 偶联剂与复合材料各相之间作用的机理 | 第14-16页 |
| 2 偶联剂在聚合物基复合材料中的应用 | 第16-22页 |
| ·硅烷类偶联剂在聚合物基复合材料中的应用 | 第16-19页 |
| ·其他工业化偶联剂的应用 | 第19-20页 |
| ·硼酸酯类偶联剂在聚合物基复合材料中的应用 | 第20-22页 |
| 第四节 小结 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 硼酸酯的合成与表征 | 第26-46页 |
| 第一节 硼酸酯偶联剂的合成与表征 | 第27-41页 |
| 1 硼酸酯结构设计 | 第27-28页 |
| 2 硼酸酯（BEx）的合成条件优化 | 第28-41页 |
| ·合成路线 | 第28-29页 |
| ·硼酸酯制备条件和表征手段的优化 | 第29-41页 |
| ·副产物分析 | 第29页 |
| ·产物分离和纯化 | 第29页 |
| ·酯化反应的一般程序 | 第29-30页 |
| ·BE3 的合成 | 第30页 |
| ·n-BE4 的合成 | 第30页 |
| ·表征方法对照 | 第30-34页 |
| ·Sec-BE4 的合成条件优化 | 第34-37页 |
| ·共沸溶剂的影响 | 第34-36页 |
| ·仲丁醇的用量的影响 | 第36-37页 |
| ·乙醇胺的用量的影响 | 第37页 |
| ·反应时间的影响 | 第37页 |
| ·Tert－BE4 的合成条件优化 | 第37-41页 |
| ·共沸溶剂的影响 | 第37-40页 |
| ·叔丁醇的用量的影响 | 第40页 |
| ·乙醇胺的用量的影响 | 第40页 |
| ·反应时间的影响 | 第40-41页 |
| 第二节 硼酸酯的其它性能表征 | 第41-42页 |
| 1 硼酸酯的物理性能 | 第41页 |
| 2 硼酸酯的水解稳定性 | 第41-42页 |
| 第三节 实验部分 | 第42-44页 |
| 1 主要仪器与试剂 | 第42页 |
| ·主要分析测试仪器 | 第42页 |
| ·主要原料与试剂 | 第42页 |
| 2 硼酸酯偶联剂的合成 | 第42-44页 |
| ·硼酸三乙醇胺酯(BE3)的合成 | 第42-43页 |
| ·硼酸正丁醇－二乙醇胺酯(n-BE4) 的合成 | 第43页 |
| ·硼酸仲丁醇－二乙醇胺酯(s-BE4) 的合成 | 第43页 |
| ·硼酸叔丁醇－二乙醇胺酯(t-BE4) 的合成 | 第43-44页 |
| 第四节 小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 硼酸盐晶须改性热固性树脂 | 第46-60页 |
| 第一节 实验部分 | 第47-50页 |
| 1 主要仪器与试剂 | 第47-48页 |
| ·分析测试仪器 | 第47-48页 |
| ·原料与试剂 | 第48页 |
| 2 晶须/偶联剂(w/w = 5:2)体系的制备 | 第48-49页 |
| 3 环氧树脂/晶须共混体系的制备 | 第49页 |
| 4 共混树脂的固化和样品处理 | 第49-50页 |
| 第二节 晶须处理前后形貌分析 | 第50页 |
| 第三节 偶联剂和硼酸盐晶须的种类对力学性能的影响 | 第50-57页 |
| 1 未进行表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性 TDE-85/MNA 酸酐体系 | 第51-52页 |
| 2 以硅烷偶联剂 KH550 表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性TDE-85/MNA 酸酐体系 | 第52-53页 |
| 3 以BE3 表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性TDE-85/MNA 酸酐体系 | 第53-54页 |
| 4 以n-BE4 表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性TDE-85/MNA 酸酐体系 | 第54-55页 |
| 5 以sec-BE4 表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性TDE-85/MNA酸酐体系 | 第55-56页 |
| 6 以tert-BE4 表面处理的硼酸铝或者硼酸镁晶须改性TDE-85/MNA酸酐体系 | 第56-57页 |
| 第四节 小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 总结与展望 | 第60-61页 |
| 发表文章目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 附录 | 第63-71页 |
