| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-38页 |
| 2．1 GaN的基本性质 | 第12-15页 |
| 2．2 GaN材料的生长技术 | 第15-26页 |
| 2．2．1 体单晶的生长 | 第15页 |
| 2．2．2 GaN薄膜的生长 | 第15-23页 |
| 2．2．2．1 金属有机物化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) | 第16-18页 |
| 2．2．2．2 卤化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy) | 第18-19页 |
| 2．2．2．3 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第19-20页 |
| 2．2．2．4 横向外延过生长(Epitaxial Lateral Overgrowth) | 第20-23页 |
| 2．2．3 GaN纳米结构的生长方法 | 第23-26页 |
| 2．2．3．1 模板辅助制备 | 第23-26页 |
| 2．2．3．2 催化剂辅助气相反应 | 第26页 |
| 2．3 掺杂 | 第26-27页 |
| 2．4 硅基GaN材料的发展和应用 | 第27-30页 |
| 2．4．1 硅基氮化镓材料的生长 | 第28页 |
| 2．4．2 硅基氮化镓发光二极管(LED) | 第28-30页 |
| 2．5 立题思路及主要研究工作 | 第30-38页 |
| 第三章 MOCVD系统与外延生长工艺 | 第38-46页 |
| 3．1 氮化镓MOCVD设备 | 第38-41页 |
| 3．1．1 气体输送部分 | 第38-39页 |
| 3．1．2 系统腔体 | 第39-41页 |
| 3．2 氮化镓材料生长工艺 | 第41-44页 |
| 3．2．1 衬底的清洗 | 第42-43页 |
| 3．2．2 有机源流量计算 | 第43-44页 |
| 3．3 设备维护 | 第44页 |
| 3．4 材料的表征 | 第44-46页 |
| 第四章 硅基GaN薄膜的研究 | 第46-62页 |
| 4．1 引言 | 第46页 |
| 4．2 MOCVD外延GaN机理 | 第46-47页 |
| 4．3 实验 | 第47-48页 |
| 4．3．1 两步外延生长工艺 | 第47-48页 |
| 4．3．2 缓冲层的选择对GaN外延层质量的影响 | 第48页 |
| 4．4 结果与讨论 | 第48-60页 |
| 4．4．1 低温AlN缓冲层 | 第48-50页 |
| 4．4．2 高温AlN缓冲层 | 第50-53页 |
| 4．4．3 载气对GaN生长的影响 | 第53-55页 |
| 4．4．4 镓源流速(Ⅴ/Ⅲ)对GaN生长的影响 | 第55-57页 |
| 4．4．5 AlN缓冲层厚度对GaN薄膜的影响 | 第57-60页 |
| 4．5 小结 | 第60-62页 |
| 第五章 纳米结构GaN的制备 | 第62-72页 |
| 5．1 引言 | 第62-63页 |
| 5．2 实验部分 | 第63页 |
| 5．3 结果与讨论 | 第63-70页 |
| 5．4 小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 硕士期间发表或已投文章 | 第74页 |
