| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 主要符号列表 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| ·研究的意义 | 第9-10页 |
| ·应用领域探讨 | 第10-13页 |
| ·超导电工中的应用 | 第10页 |
| ·医疗设备或生物研究中的应用 | 第10-11页 |
| ·太空探索活动中的应用 | 第11-12页 |
| ·其他方面的应用 | 第12页 |
| ·应用实例 | 第12-13页 |
| ·IGBT 低温特性研究现状 | 第13页 |
| ·本论文主要工作 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 IGBT 器件的结构及工作原理 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·IGBT 结构及工作原理 | 第18-22页 |
| ·NPT 型IGBT | 第19-21页 |
| ·PT 型IGBT | 第21-22页 |
| ·NPT-IGBT 和 PT-IGBT 比较 | 第22-25页 |
| ·制作工艺比较 | 第22-24页 |
| ·性能比较 | 第24-25页 |
| ·栅极结构 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 实验平台及测试方法 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·常用无源器件在低温下的性能 | 第28-29页 |
| ·典型参数测试方法介绍 | 第29-33页 |
| ·动态特性测试 | 第29-30页 |
| ·极间电容测试 | 第30-31页 |
| ·关断耗散能量和关断耗散功率 | 第31-33页 |
| ·驱动电路设计 | 第33-34页 |
| ·基于虚拟仪器的测试平台 | 第34-38页 |
| ·虚拟系统的软件结构 | 第34-35页 |
| ·测试平台的实现 | 第35-37页 |
| ·测试效果分析 | 第37-38页 |
| ·低温制冷系统 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 IGBT 的低温特性及其对应用产生的影响 | 第41-57页 |
| ·实际测试电路介绍 | 第41-43页 |
| ·静态特性测试电路 | 第41-42页 |
| ·暂态特性测试电路 | 第42-43页 |
| ·静态特性测试结果 | 第43-49页 |
| ·NPT-IGBT | 第43-45页 |
| ·PT-IGBT | 第45-48页 |
| ·击穿电压 | 第48-49页 |
| ·暂态特性测试结果 | 第49-51页 |
| ·NPT-IGBT | 第49-50页 |
| ·PT-IGBT | 第50-51页 |
| ·关断损耗功率 | 第51页 |
| ·IGBT 低温特性对应用产生的影响 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 IGBT低温特性物理机理分析与仿真 | 第57-78页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·硅参数温度模型 | 第57-64页 |
| ·本征载流子浓度 | 第57-59页 |
| ·电离杂质浓度 | 第59-61页 |
| ·载流子寿命 | 第61-62页 |
| ·载流子迁移率 | 第62-63页 |
| ·双极扩散系数 | 第63-64页 |
| ·IGBT 低温特性物理机制分析 | 第64-67页 |
| ·输出曲线变化原因分析 | 第64页 |
| ·通态压降变化原因分析 | 第64-65页 |
| ·PT-IGBT 在 77K 下失效原因分析 | 第65-66页 |
| ·PT-IGBT 门槛电压和跨导突变现象物理机制分析 | 第66-67页 |
| ·击穿电压下降原因分析 | 第67页 |
| ·NPT-IGBT 低温特性的数学仿真 | 第67-74页 |
| ·NPT-IGBT 等效电路 | 第68-69页 |
| ·实验及仿真结果分析 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第六章 全文总结 | 第78-80页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| ·工作展望 | 第79-80页 |
| 附录 | 第80-90页 |
| 发表文章情况 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |