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基于光子晶体相似的二维声子晶体特性研究

第1章 绪论第1-21页
 1.1 概述第11-16页
  1.1.1 声子晶体的概念和基本特性第11-12页
  1.1.2 声子晶体、半导体及光子晶体的特征比较第12-13页
  1.1.3 声子晶体禁带机理第13-14页
  1.1.4 声子晶体的制备第14-15页
  1.1.5 声子晶体的应用前景第15-16页
 1.2 课题研究的背景和意义第16-17页
 1.3 国内外的研究现状第17-20页
  1.3.1 国外研究现状第18-19页
  1.3.2 国内研究现状第19-20页
 1.4 本论文的主要工作第20-21页
第2章 平面波展开法第21-32页
 2.1 声子晶体能带结构的数值计算方法第21-22页
 2.2 二维声子晶体理论框架的建立第22-25页
  2.2.1 声波波动方程第22-23页
  2.2.2 周期结构的布洛赫定理第23-25页
 2.3 算法的执行第25-31页
  2.3.1 傅立叶变换系数ζ(G|-)的获取第26-28页
  2.3.2 几种常用“原子”的结构因子第28-30页
  2.3.3 傅立叶变换的平移特性第30页
  2.3.4 执行步骤第30-31页
 2.4 本章小节第31-32页
第3章 二维声子晶体能带结构特性第32-47页
 3.1 参数对带隙的影响第32-37页
  3.1.1 影响能带结构的参数第32页
  3.1.2 基本的晶格结构第32-34页
  3.1.3 “原子”的填充系数第34-35页
  3.1.4 “原子”的形状第35-36页
  3.1.5 声学常数的比率第36-37页
 3.2 二维声子晶体带隙特性第37-45页
  3.2.1 能带结构(PBG)第39-41页
  3.2.2 带隙分布图第41-42页
  3.2.3 态密度(DOS)第42-43页
  3.2.4 结构参数对各晶格相对带宽的影响第43-45页
 3.3 本章小节第45-47页
第4章 二维声子晶体的缺陷态第47-60页
 4.1 点缺陷第47-51页
  4.1.1 存在点缺陷的声子晶体能带结构第47-48页
  4.1.2 微扰“原子”尺寸对缺陷态的影响第48-49页
  4.1.3 填充系数对缺陷态的影响第49-50页
  4.1.4 点缺陷的声压场分布第50-51页
 4.2 线缺陷第51-54页
  4.2.1 存在线缺陷的声子晶体能带结构第51-52页
  4.2.2 线缺陷的声压场分布第52-54页
 4.3 同质位错结第54-58页
  4.3.1 横向位错结第54-56页
  4.3.2 纵向位错结第56-58页
 4.4 本章小结第58-60页
第5章 二维声子晶体异质结的界面态第60-74页
 5.1 SCSC异质结第60-69页
  5.1.1 原异质结特性第62-64页
  5.1.2 横向拉开效应第64-66页
  5.1.3 侧向滑移效应第66-68页
  5.1.4 横向拉开与侧向滑移的共同作用第68-69页
 5.2 SCSS异质结第69-71页
 5.3 RRTC异质结第71-72页
 5.4 本章小节第72-74页
结论第74-77页
参考文献第77-83页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第83-84页
致谢第84-85页
附录A 论文1 付印中(物理学报)第85-95页
附录B 论文2 已投寄(Physical Review E)第95-105页
附录C 论文3 已投寄(Physical Review Letter)第105-111页

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