用光电导开关产生超宽带电磁辐射的研究
| 1 概述 | 第1-22页 |
| 1．1 引言 | 第11页 |
| 1．2 超快带技术概述 | 第11-16页 |
| 1．2．1 超宽带定义及特点 | 第11-14页 |
| 1．2．2 超宽带脉冲源 | 第14-15页 |
| 1．2．3 超宽带脉冲天线 | 第15-16页 |
| 1．3 光电导开关 | 第16-20页 |
| 1．3．1 发展历史及特点 | 第16-18页 |
| 1．3．2 光电导开关的基本结构 | 第18-19页 |
| 1．3．3 光电导开关的工作模式 | 第19-20页 |
| 1．4 论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1．5 小结 | 第21-22页 |
| 2 光电导开关产生超宽带辐射的工作机理 | 第22-32页 |
| 2．1 横向光电导开关的基本结构 | 第22页 |
| 2．2 半绝缘GaAs材料 | 第22-24页 |
| 2．3 横向光电导开关的设计 | 第24-27页 |
| 2．3．1 电极的设计 | 第24-26页 |
| 2．3．2 传输线的设计 | 第26页 |
| 2．3．3 开关的绝缘封装 | 第26-27页 |
| 2．4 光电导开关产生超宽带脉冲的工作机理 | 第27-31页 |
| 2．4．1 半导体的光导效应 | 第27-28页 |
| 2．4．2 光电导开关产生超宽带脉冲的工作机理 | 第28-31页 |
| 2．5 小结 | 第31-32页 |
| 3 线性模式下的时域特性及辐射 | 第32-47页 |
| 3．1 开关测试实验 | 第32-33页 |
| 3．2 验结果及分析 | 第33-35页 |
| 3．3 影响脉冲特性的几个参量 | 第35-41页 |
| 3．3．1 激励光对脉冲前沿的影响 | 第35-39页 |
| 3．3．2 材料深能级对脉冲特性的影响 | 第39-41页 |
| 3．4 线性模式下的辐射实验及实验分析 | 第41-45页 |
| 3．4．1 线性模式下的辐射试验 | 第41-43页 |
| 3．4．2 实验结果分析 | 第43-45页 |
| 3．5 小结 | 第45-47页 |
| 4 非线性模式下的辐射实验 | 第47-59页 |
| 4．1 光激发电荷畴理论 | 第48-54页 |
| 4．1．1 基本理论描述 | 第48-49页 |
| 4．1．2 定量描述和实验验证 | 第49-54页 |
| 4．2 非线性工作模式实验及该模式下辐射 | 第54-55页 |
| 4．3 实验结果分析 | 第55-57页 |
| 4．4 小结 | 第57-59页 |
| 5 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 附录 | 第67页 |
