| 第一章 前言 | 第1-19页 |
| 第二章 原料合成 | 第19-24页 |
| ·主要实验试剂 | 第19页 |
| ·液相法合成原料~([1]) | 第19-20页 |
| ·高纯原料合成的关键 | 第20-21页 |
| ·原料的表征 | 第21-24页 |
| 第三章 晶体生长 | 第24-32页 |
| ·提拉法晶体生长装置 | 第24-25页 |
| ·生长工艺~([3,4]) | 第25-32页 |
| ·坩锅 | 第27-28页 |
| ·籽晶 | 第28页 |
| ·径向温度梯度 | 第28-30页 |
| ·退火工艺 | 第30-31页 |
| ·生长气氛 | 第31-32页 |
| 第四章 晶体基本参数测定 | 第32-40页 |
| ·掺杂离子浓度测定及分凝系数 | 第32-35页 |
| ·单胞参数 | 第35-38页 |
| ·激光损伤阈值 | 第38-40页 |
| 第五章 晶体的光谱性质 | 第40-70页 |
| ·测试仪器及原理 | 第40-41页 |
| ·GdVO_4基质晶体的透过光谱 | 第41页 |
| ·Yb∶GdVO_4晶体与Yb_(0.140)Gd_(0.813)La_(0.047)VO_4晶体光谱 | 第41-56页 |
| ·Nd_(0.038)Yb_(0.036)Gd_(0.926)VO_4晶体光谱 | 第56-62页 |
| ·Yb_(0.223)Er_(0.024)Gd_(0.753)VO_4晶体光谱 | 第62-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
