| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 研究背景 | 第10-25页 |
| §1．1 β-FeSi_2薄膜的制备方法 | 第10-11页 |
| §1．2 FeSi_@相 | 第11-12页 |
| §1．3 β-Fesi_2薄膜掺杂的研究 | 第12-13页 |
| §1．4 β-FeSi_2／Si界面取向关系 | 第13-16页 |
| §1．5 直接带隙和间接带隙 | 第16-20页 |
| §1．6 主要的研究单位 | 第20页 |
| §1．7 研究困难 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 实验设备及实验方法 | 第25-34页 |
| §2．1 实验设备 | 第25-32页 |
| §2．2 实验方法 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 电子显微分析实验及讨论 | 第34-58页 |
| §3．1 在Si单晶中注Fe离子的实验 | 第34-42页 |
| §3．2 掺杂对离子注入制备β-FeSi_2薄膜结构的影响 | 第42-53页 |
| §3．3 电子显微分析讨论 | 第53-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 X射线分析实验及讨论 | 第58-68页 |
| §4．1 不同退火条件下实验分析 | 第58-63页 |
| §4．2 掺杂C离子对β-FeSi_2薄膜的影响 | 第63-66页 |
| §4．3 基片取向对β-FeSi_2薄膜晶格常数的影响 | 第66-68页 |
| 第五章 薄膜性能的测定 | 第68-79页 |
| §5．1 掺杂前样品直接带隙的测定 | 第68-70页 |
| §5．2 影响硅化物层E_g~d值的因素 | 第70-76页 |
| §5．3 薄膜其它性能的测定 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第六章 β-FeSi_2／Si取向关系的研究 | 第79-91页 |
| §6．1 β-FeSi_2与Si取向关系的电子显微测量 | 第80-86页 |
| §6．2 β-FeSi_2与Si最佳取向关系的计算 | 第86-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第七章 结论 | 第91-93页 |
| 展望 | 第93-94页 |
| 论文创新点摘要 | 第94-95页 |
| 附录： 发表文章列表 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
