低压低功耗CMOS运算放大器的设计
| 第一章 绪论 | 第1-8页 |
| 第二章 MOS模拟集成电路基础 | 第8-15页 |
| 2．1 MOSFET的伏安工作特性 | 第9-11页 |
| 2．1．1 增强型MOSFET特性 | 第9-11页 |
| 2．1．2 耗尽型MOSFET特性 | 第11页 |
| 2．2 背栅控制特性及亚阈区导电特性 | 第11-13页 |
| 2．2．1 背栅控制特性 | 第11-13页 |
| 2．2．2 亚阈区导电特性 | 第13页 |
| 2．3 MOSFET交流小信号等效模型 | 第13-15页 |
| 第三章 MOS基本电路单元 | 第15-43页 |
| 3．1 有源负载 | 第15-22页 |
| 3．1．1 单管增强型有源负载 | 第15-16页 |
| 3．1．2 单管耗尽型有源负载 | 第16页 |
| 3．1．3 电流镜有源负载 | 第16-19页 |
| 3．1．3．1 MOS电流镜 | 第16-18页 |
| 3．1．3．2 威尔逊电流源 | 第18-19页 |
| 3．1．3．3 几何比电流源 | 第19页 |
| 3．1．4 电流沉和电流源 | 第19-22页 |
| 3．2 MOS基本放大电路 | 第22-35页 |
| 3．2．1 E／D共源放大电路 | 第22页 |
| 3．2．2 E／E共源放大电路 | 第22-23页 |
| 3．2．3 CMOS有源负载放大电路 | 第23-25页 |
| 3．2．4 CMOS互补放大器 | 第25-26页 |
| 3．2．5 MOS源耦合对 | 第26-28页 |
| 3．2．6 CMOS差分放大电路 | 第28-31页 |
| 3．2．7 折叠镜像CMOS差分放大电路 | 第31-35页 |
| 3．3 MOS输出级电路 | 第35-43页 |
| 3．3．1 源跟随器 | 第35-37页 |
| 3．3．2 CMOS互补输出级电路 | 第37-38页 |
| 3．3．3 低压CMOS输出级 | 第38-43页 |
| 第四章 低压低功耗运放的设计 | 第43-57页 |
| 第五章 阈值电压的计算 | 第57-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 致谢辞 | 第63页 |
