| 前言 | 第1-8页 |
| 第一章 应用F-K效应对探测器进行激光防护的探讨 | 第8-16页 |
| 1．1 F-K效应 | 第8页 |
| 1．2 利用F-K效应提供强激光保护 | 第8-9页 |
| 1．3 MIS型MCT探测器的F-K效应 | 第9-12页 |
| 1．4 提高MCT器件性能的途径 | 第12-16页 |
| 第二章 绝缘层厚度对MIS型MCT器件的影响 | 第16-26页 |
| 2．1 MIS结构的平衡状态 | 第16-20页 |
| 2．2 MIS结构的二极管工作状态 | 第20-21页 |
| 2．3 绝缘层厚度对MIS型MCT器件探测率的影响 | 第21-24页 |
| 2．4 MIS结构MCT探测器绝缘层厚度对F-K有效强度的影响 | 第24-26页 |
| 第三章 MIS型MCT器件的制作 | 第26-34页 |
| 3．1 器件结构简介 | 第26页 |
| 3．2 镀膜厚度的控制 | 第26-28页 |
| 3．3 膜结构的控制 | 第28-30页 |
| 3．4 工艺流程 | 第30-34页 |
| 第四章 MCT器件的光吸收系数控制电路设计制作 | 第34-49页 |
| 4．1 光吸收系数控制电路的工作原理 | 第34-48页 |
| 4．2 光吸收系数控制电路的特点 | 第48-49页 |
| 第五章 MCT器件F-K效应有效强度的测量方法及测量结果 | 第49-53页 |
| 5．1 （HgCd）Te探测器F-K效应强度的估算 | 第49-50页 |
| 5．2 MCT探测器F-K效应有效强度的测量系统 | 第50-52页 |
| 5．3 F-K有效强度的测定 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53页 |
| 致谢 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
