| 第一章 绪论 | 第1-40页 |
| 第一节 氢氧化镍概述 | 第12-17页 |
| 1．1 晶体结构 | 第12-13页 |
| 1．2 制备 | 第13-14页 |
| 1．3 掺杂 | 第14-16页 |
| 1．4 氧化还原机理 | 第16页 |
| 1．5 半导体性质的研究 | 第16-17页 |
| 第二节 理论概述 | 第17-38页 |
| 2．1 Marcus电子转移理论 | 第17-20页 |
| 2．2 半导体/溶液界面的电子转移 | 第20-38页 |
| 2．2．1 半导体/溶液界面特性 | 第20-22页 |
| 2．2．2 半导体/溶液界面电容与电位的关系 | 第22-24页 |
| 2．2．3 半导体/溶液界面电子转移 | 第24-33页 |
| 2．2．3．1 电子转移的基本能级模型 | 第25-28页 |
| 2．2．3．2 电子转移速率 | 第28-33页 |
| 2．2．3．2．1 电子转移速率定律、速率常数和单位 | 第28-30页 |
| 2．2．3．2．2 电子转移速率最大值的几个模型 | 第30-32页 |
| 2．2．3．2．3 速率常数的测定 | 第32-33页 |
| 2．2．4 半导体/溶液界面的电子转移过程 | 第33-36页 |
| 2．2．5 半导体能带边缘的确定 | 第36-37页 |
| 2．2．6 半导体/溶液界面的表面态 | 第37-38页 |
| 2．2．7 半导体/溶液界面的实验测试技术 | 第38页 |
| 第三节 本文的实验设想 | 第38-40页 |
| 第二章 实验 | 第40-44页 |
| 第一节 仪器与药品 | 第40页 |
| 1．1 仪器 | 第40页 |
| 1．2 药品 | 第40页 |
| 第二节 电极的预处理及α-Ni（OH）_2薄膜电极的制备 | 第40-41页 |
| 2．1 电极的预处理 | 第40页 |
| 2．2 α-Ni（OH）_2薄膜电极的制备 | 第40-41页 |
| 2．3 掺杂α-Ni（OH）_2薄膜电极的制备 | 第41页 |
| 第三节 电解池及溶液的配制 | 第41-42页 |
| 3．1 电解池 | 第41页 |
| 3．2 溶液的配制 | 第41-42页 |
| 第四节 测试手段 | 第42-44页 |
| 4．1 X-射线衍射 | 第42页 |
| 4．2 等离子体光谱（ICP） | 第42页 |
| 4．3 循环伏安 | 第42页 |
| 4．4 Tafel极化曲线 | 第42-43页 |
| 4．5 阻抗 | 第43-44页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第44-84页 |
| 第一节 α-Ni（OH）_2电极/K_3Fe（CN）_6溶液界面的界面性质及其电子转移的研究 | 第44-64页 |
| 1．1 X-射线衍射测试的结果分析 | 第44-46页 |
| 1．2 Mott-Schottky图和α-Ni（OH）_2半导体性质研究 | 第46-51页 |
| 1．2．1 α-Ni（OH）_2电极惰性区间的确定 | 第46页 |
| 1．2．2 Mott-Schottky图和α-Ni（OH）_2半导体性质 | 第46-51页 |
| 1．2．2．1 测量频率对α-Ni（OH）_2的Mott-Schottky图及其半导体性质的影响 | 第47-49页 |
| 1．2．2．1．1 测量频率对平带电位的影响 | 第47-48页 |
| 1．2．2．1．2 α-Ni（OH）_2本体载流子浓度的计算 | 第48-49页 |
| 1．2．2．2 氧化还原物种浓度对Mott-Schootty图及Ni（OH）_2半导体性质的影响 | 第49-51页 |
| 1．2．2．2．1 氧化还原物种浓度对Ni（OH）_2平带电位的影响 | 第49-50页 |
| 1．2．2．2．2 氧化还原物种浓度对Ni（OH）_2本体载流子浓度的影响 | 第50-51页 |
| 1．3 α-Ni（OH）_2电极/K_3Fe（CN）_6溶液界面能带结构图 | 第51-52页 |
| 1．4 Tafel极化曲线 | 第52-55页 |
| 1．5 α-Ni（OH）_2电极/K_3Fe（CN）_6溶液界面电子转移速率常数 | 第55-60页 |
| 1．5．1 α-Ni（OH）_2电极/K_2Fe（CN）_6溶液界面电流电位曲线 | 第55-57页 |
| 1．5．2 直接电子转移的电子转移速率常数 | 第57-58页 |
| 1．5．3 α-Ni（OH）_2电极/K_3Fe（CN）_6溶液界面电子转移速率常数的计算 | 第58-60页 |
| 1．6 电子转移速率常数与外加偏压之间的关系 | 第60-64页 |
| 第二节 Ni（OH）_2电极/KOH溶液界面的界面性质及其动力学行为的研究 | 第64-70页 |
| 2．1 电流密度对Mott-Schottky图和Ni（OH）_2半导体性质的影响 | 第64-66页 |
| 2．2 电沉积时间对Mott-Shottky图和Ni（0H）_2半导体性质的影响 | 第66-68页 |
| 2．3 电位扫描方向对Mott-Schottky图和Ni（OH）_2半导体性质的影响 | 第68-69页 |
| 2．4 等效电路对Mott-Schottky图和Ni（OH）_2半导体性质的影响 | 第69-70页 |
| 第三节 掺杂对Ni（OH）_2电极/溶液界面动力学性质的影响 | 第70-84页 |
| 3．1 掺杂对Ni（ON）_2电极/KOH溶液界面动力学性质的影响 | 第70-76页 |
| 3．1．1 电沉积过程 | 第70页 |
| 3．1．2 Ni（OH）_2电极的组成（ICP测试） | 第70-71页 |
| 3．1．3 Ni（OH）_2薄膜电极在KOH溶液中的循环伏安测试 | 第71-72页 |
| 3．1．4 Mott-Schottky图及掺杂Ni（OH）_2的半导体性质 | 第72-76页 |
| 3．2 掺杂对Ni（OH）_2电极/K_3Fe（CN）_6溶液界面的界面性质及其电子转移究 | 第76-84页 |
| 3．2．1 各种掺杂Ni（OH）_2平带电位的测量 | 第76-80页 |
| 3．2．2 各种掺杂Ni（OH）_2的能带边缘位置 | 第80页 |
| 3．2．3 Tafel极化曲线 | 第80-82页 |
| 3．2．4 电子转移速率常数 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-97页 |
